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橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
2022-01-19
橋式電路 開關(guān)
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SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路和Turn-on/Turn-off動作
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時,需要在包括SiC MOSFET的柵極驅(qū)動電路的寄生分量在內(nèi)的等效電路基礎(chǔ)上進行考量。
2022-01-17
SiC MOSFET 柵極驅(qū)動電路
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SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時，本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹，這也是這個主題的前提。
2022-01-17
SiC MOSFET 橋式結(jié)構(gòu)
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聚酰亞胺薄膜應(yīng)用于數(shù)字隔離器
與傳統(tǒng)的光耦合器相比，數(shù)字隔離器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具優(yōu)勢。數(shù)以十億計的使用微變壓器的數(shù)字隔離器已廣泛用于許多市場，包括汽車、工業(yè)自動化、醫(yī)療和能源。這些數(shù)字隔離器之所以具有高壓性能，主要原因在于：在堆棧式繞組變壓器的頂部螺旋繞組和底部螺旋...
2022-01-17
聚酰亞胺薄膜 數(shù)字隔離器
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ADI公司陳寶興博士當選IEEE會士
中國，北京—ADI公司技術(shù)院士(Fellow)陳寶興博士憑借其在集成信號-功率隔離和集成磁性元件領(lǐng)域的突破性貢獻，當選為2022年度IEEE會士(IEEE Fellow)。IEEE會士是最高等級的IEEE會員，業(yè)界將其視為一項榮譽稱號，被認為是職業(yè)生涯中的重要成就。每一年的當選總?cè)藬?shù)不得超過總參與投票人數(shù)的千分之一。
2022-01-14
ADI 陳寶興博士 IEEE
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使用集成雙向電流檢測放大器實現(xiàn)有效的電流監(jiān)控
越來越多的應(yīng)用需要快速準確地進行電流監(jiān)控，包括自動駕駛汽車、工廠自動化和機器人技術(shù)、通信、服務(wù)器電源管理、D 類音頻放大器和醫(yī)療系統(tǒng)。在許多這樣的應(yīng)用中，都要求進行雙向電流檢測，而且需要以很小的成本有效地實現(xiàn)這一a目的。
2022-01-14
雙向電流檢測放大器 電流監(jiān)控
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如何實現(xiàn)高轉(zhuǎn)矩伺服電機的應(yīng)用設(shè)計
有時用市場上現(xiàn)成的高轉(zhuǎn)矩伺服電機比建造更方便。設(shè)計這種伺服電機用于無線電控制應(yīng)用，如為了得到中心位置希望脈沖為1.5ms寬。除去已有電路并用一個簡單的線性電壓控制替代是可能的；然而，選擇“不破壞它”而用一個外部脈沖產(chǎn)生器替代。此結(jié)果是比預(yù)期的更錯綜復(fù)雜。
2022-01-10
高轉(zhuǎn)矩伺服電機
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高深寬比刻蝕和納米級圖形化推進存儲器的路線圖
隨著市場需求推動存儲器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團正在探索未來三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟的成本為晶圓廠提供解決方案。
2022-01-10
高深寬比刻蝕 納米級圖形 存儲器
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Digi-Key 與 CalcuQuote 合作，提供報價 API 集成支持，為客戶提供一種更簡便的途徑來實現(xiàn) 30 天定價保證
全球供應(yīng)品類極豐富、發(fā)貨極快速的現(xiàn)貨電子元器件分銷商Digi-Key Electronics與 CalcuQuote 達成合作，實現(xiàn)了Digi-Key 報價 API與該公司技術(shù)的集成，為客戶提供了一個更簡便的入口，以很少的開發(fā)投入來連接 Digi-Key 領(lǐng)先的 API。
2022-01-07
Digi-Key CalcuQuote API 集成
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