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厚膜電阻在工業(yè)控制裝備中的核心應用與選型實踐
厚膜電阻憑借其高可靠性、耐環(huán)境性及成本優(yōu)勢，已成為工業(yè)控制裝備中不可或缺的被動元件。本文圍繞 PLC模擬信號調理 和 變頻器IGBT驅動 兩大場景，結合具體技術參數(shù)與真實案例，解析厚膜電阻的選型策略及頭部原廠解決方案。
2025-05-25
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功率器件新突破！氮化鎵實現(xiàn)單片集成雙向開關
氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實現(xiàn)第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現(xiàn)雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯(lián)兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復雜度。
2025-05-11
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驅動電路設計（七）——自舉電源在5kW交錯調制圖騰柱PFC應用
隨著功率半導體IGBT，SiC MOSFET技術的發(fā)展和系統(tǒng)設計的優(yōu)化，電平位移驅動電路應用場景越來越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A，可驅動中功率IGBT，包括Easy系列模塊。目標10kW+應用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業(yè)變頻器、泵和風機。本文就來介紹一個設計案例，采用電平位移驅動器碳化硅SiC MOSFET 5kW交錯調制圖騰柱PFC評估板。
2025-05-07
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能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術優(yōu)勢
在消費電子市場高速發(fā)展的當下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開關特性、低導通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術正持續(xù)推動家電產品能效升級。安世半導體推出的650 V G3 IGBT平臺產品，通過性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關鍵解決方案。
2025-05-07
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第18講：SiC MOSFET的動態(tài)特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態(tài)電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
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第15講：高壓SiC模塊封裝技術
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內部的封裝技術。
2025-02-14
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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IGBT并聯(lián)設計指南，拿下！
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。
2025-01-24
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內部結構，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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IGBT的并聯(lián)知識點梳理：靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。系統(tǒng)設計工程師需要了解這些，才能設計出可靠的系統(tǒng)。
2025-01-16
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。
2025-01-08
- 挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設計的環(huán)境溫度與結溫攻防戰(zhàn)
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