等離子體荷電噴霧逆變電源的研究

本文依據(jù)等離子體荷電噴霧的特點(diǎn)，以IGBT為核心器件，設(shè)計(jì)了脈寬調(diào)制型（PWM）15kHz高壓逆變電源，介紹了逆變電源主回路、PWM控制電路及過流保護(hù)回路。試驗(yàn)結(jié)果表明：在噴霧中使用等離子體技術(shù)，不僅噴霧的特性達(dá)到了改善，而且還增加了霧滴的荷電數(shù)量。

2008-09-30

中國功率器件市場(chǎng)增速放緩MOSFET是亮點(diǎn)

在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場(chǎng)的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費(fèi)電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場(chǎng)銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場(chǎng)中的新興產(chǎn)品。

2008-09-24

ACPL-33xJ系列：安華高智能型門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品

Avago推出最新的智能型門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品，ACPL-333J和ACPL-330J系列高速IGBT光電耦合器。它們非常容易集成到工業(yè)變頻器和電源管理等應(yīng)用，例如隔離式IGBT/MOSFET門極驅(qū)動(dòng)、交流和無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器以及不間斷電源等。

2008-08-26

STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款IGBT系列

意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。

2008-05-13

ACPL-K312：安華高低功耗小型2.5A門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器

Avago宣布推出一款具備2.5A最高尖峰輸出電流的新門極驅(qū)動(dòng)光電耦合器產(chǎn)品ACPL-K312。 Avago的新ACPL-K312成功地滿足了低功耗需求，并可以改善效率，非常適合IGBT/MOSFET門極驅(qū)動(dòng)、交流和無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)變頻器以及開關(guān)式電源等應(yīng)用。

2008-03-18

GA..系列：Vishay高額定電流的半橋600V 及1200V IGBT模塊

日前，Vishay宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) Int-A-Pak 封裝的新系列半橋絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)。該系列由八個(gè) 600V 及 1200V 器件組成，這些器件采用多種技術(shù)，可在標(biāo)準(zhǔn)及超快速度下實(shí)現(xiàn)高開關(guān)工作頻率。

2008-03-14

IRGB40XXDPbF：IR UPS和太陽能轉(zhuǎn)換器應(yīng)用低功耗600V溝道IGBT

國際整流器公司推出600V絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，能夠在最高3kW的不斷電系統(tǒng) (UPS) 及太陽能轉(zhuǎn)換器中，減少高達(dá)30%的功率損耗。

2008-03-11

IRG系列IGBT管主要參數(shù)

1970-01-01

igbt驅(qū)動(dòng)電路，igbt驅(qū)動(dòng)電路圖，igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇

igbt驅(qū)動(dòng)電路，igbt驅(qū)動(dòng)電路圖，igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇

1970-01-01

電磁爐igbt是什么？電磁爐損壞IGBT功率管主要原因分析

電磁爐igbt是什么？電磁爐損壞IGBT功率管主要原因分析

1970-01-01

IGBT是什么？IGBT是什么意思？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

1970-01-01