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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒有像移動手機連接器之類的終端設(shè)備，零瓦充電器就會停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計的，其設(shè)計是對現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補充。
2012-02-22
IMF TE 零瓦電路 繼電器
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4G競逐大戲已經(jīng)開場 推廣標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)鍵
從3G到4G，從追隨者變?yōu)橛螒蛞?guī)則制定者，中國正一步步建立自己的移動通信標(biāo)準(zhǔn)體系。由中國主導(dǎo)的TD-LTE在1月18日正式成為4G國際標(biāo)準(zhǔn)，這意味著下一代移動通信標(biāo)準(zhǔn)的全球征戰(zhàn)正式開場。但制定標(biāo)準(zhǔn)只是開始，推廣標(biāo)準(zhǔn)才是關(guān)鍵。只有以標(biāo)準(zhǔn)為支點，占據(jù)全球競爭的制高點，從而撬動整個國家產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)...
2012-02-22
4G 標(biāo)準(zhǔn)
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IHS：住宅網(wǎng)關(guān)將取代機頂盒
據(jù)IHS iSuppli公司的消費平臺專題報告，預(yù)計住宅網(wǎng)關(guān)將取代機頂盒，成為數(shù)字客廳中的新中心，該網(wǎng)關(guān)市場從2012到2015年將增長兩倍。
2012-02-22
住宅網(wǎng)關(guān) 機頂盒 數(shù)字客廳
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)
TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說是相當(dāng)緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開TSV 3D IC實用...
2012-02-22
TSV 3D IC 半導(dǎo)體
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)
TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說是相當(dāng)緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開TSV 3D IC實用...
2012-02-22
TSV 3D IC 半導(dǎo)體
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機驅(qū)動模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級的微型電機驅(qū)動模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機驅(qū)動模塊
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機驅(qū)動模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級的微型電機驅(qū)動模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機驅(qū)動模塊
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級MOSFET，是目前市場上尺寸最小的此類器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級MOSFET，是目前市場上尺寸最小的此類器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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