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適用于SAR ADC的CMOS比較器的設(shè)計(jì)分析
比較器廣泛應(yīng)用于從模擬信號到數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換過程當(dāng)中。在模一數(shù)轉(zhuǎn)換過程中，經(jīng)過采樣的信號經(jīng)過比較器以決定模擬信號輸出的數(shù)字值。比較器可以比較一個(gè)模擬信號和另外一個(gè)模擬信號或參考信號的大小。比較器大都采用開環(huán)模式，這種開環(huán)結(jié)構(gòu)不必對比較器進(jìn)行補(bǔ)償，同時(shí)，未進(jìn)行補(bǔ)償?shù)谋容^器可以獲得...
2012-02-23
ADC CMOS 比較器
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適用于SAR ADC的CMOS比較器的設(shè)計(jì)分析
比較器廣泛應(yīng)用于從模擬信號到數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換過程當(dāng)中。在模一數(shù)轉(zhuǎn)換過程中，經(jīng)過采樣的信號經(jīng)過比較器以決定模擬信號輸出的數(shù)字值。比較器可以比較一個(gè)模擬信號和另外一個(gè)模擬信號或參考信號的大小。比較器大都采用開環(huán)模式，這種開環(huán)結(jié)構(gòu)不必對比較器進(jìn)行補(bǔ)償，同時(shí)，未進(jìn)行補(bǔ)償?shù)谋容^器可以獲得...
2012-02-23
ADC CMOS 比較器
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電容的選型技巧和應(yīng)用趨勢
電容有很多種命名方法，按照功能分，包括旁路電容，去耦電容，濾波電容等。在電路中，電容的應(yīng)用非常廣泛，因此如何選擇適合和電容器就成了許多工程師關(guān)注的話題。本期半月談將聚焦電容在不同場合的選型和應(yīng)用，同時(shí)展望電容在應(yīng)用市場上呈現(xiàn)的趨勢。
2012-02-22
電容 濾波電容 電容器
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電容的選型技巧和應(yīng)用趨勢
電容有很多種命名方法，按照功能分，包括旁路電容，去耦電容，濾波電容等。在電路中，電容的應(yīng)用非常廣泛，因此如何選擇適合和電容器就成了許多工程師關(guān)注的話題。本期半月談將聚焦電容在不同場合的選型和應(yīng)用，同時(shí)展望電容在應(yīng)用市場上呈現(xiàn)的趨勢。
2012-02-22
電容 濾波電容 電容器
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電容的選型技巧和應(yīng)用趨勢
電容有很多種命名方法，按照功能分，包括旁路電容，去耦電容，濾波電容等。在電路中，電容的應(yīng)用非常廣泛，因此如何選擇適合和電容器就成了許多工程師關(guān)注的話題。本期半月談將聚焦電容在不同場合的選型和應(yīng)用，同時(shí)展望電容在應(yīng)用市場上呈現(xiàn)的趨勢。
2012-02-22
電容 濾波電容 電容器
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PCB高速信號完整性整體分析設(shè)計(jì)
信號完整性問題是高速PCB設(shè)計(jì)者必需面對的問題。阻抗匹配、合理端接、正確拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決信號完整性問題的關(guān)鍵。傳輸線上信號的傳輸速度是有限的，信號線的布線長度產(chǎn)生的信號傳輸延時(shí)會(huì)對信號的時(shí)序關(guān)系產(chǎn)生影響，所以PCB上的高速信號的長度以及延時(shí)要仔細(xì)計(jì)算和分析。
2012-02-22
PCB 高速信號 信號完整性 阻抗匹配
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PCB高速信號完整性整體分析設(shè)計(jì)
信號完整性問題是高速PCB設(shè)計(jì)者必需面對的問題。阻抗匹配、合理端接、正確拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決信號完整性問題的關(guān)鍵。傳輸線上信號的傳輸速度是有限的，信號線的布線長度產(chǎn)生的信號傳輸延時(shí)會(huì)對信號的時(shí)序關(guān)系產(chǎn)生影響，所以PCB上的高速信號的長度以及延時(shí)要仔細(xì)計(jì)算和分析。
2012-02-22
PCB 高速信號 信號完整性 阻抗匹配
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PCB高速信號完整性整體分析設(shè)計(jì)
信號完整性問題是高速PCB設(shè)計(jì)者必需面對的問題。阻抗匹配、合理端接、正確拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決信號完整性問題的關(guān)鍵。傳輸線上信號的傳輸速度是有限的，信號線的布線長度產(chǎn)生的信號傳輸延時(shí)會(huì)對信號的時(shí)序關(guān)系產(chǎn)生影響，所以PCB上的高速信號的長度以及延時(shí)要仔細(xì)計(jì)算和分析。
2012-02-22
PCB 高速信號 信號完整性 阻抗匹配
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同步升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中MOSFET的選擇要素分析
在個(gè)人計(jì)算機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域，隨著為核心DC-DC轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步升壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向著1MHz-2MHz范圍轉(zhuǎn)移，MOSFET的損耗進(jìn)一步增加。如果考慮其它支配損耗機(jī)制的參數(shù)，如電源輸入電壓和門極電壓，就要處理更為復(fù)雜的現(xiàn)象，還會(huì)遇到可能造成損耗極大惡化并降低電源轉(zhuǎn)換效率(ξ)的二次效應(yīng)，及體二極管反向...
2012-02-22
同步升壓轉(zhuǎn)換器 MOSFET 轉(zhuǎn)換器
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