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安森美半導(dǎo)體推出新的高密度溝槽MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封裝, 為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。
2009-11-03
安森美 半導(dǎo)體 高密度 溝槽MOSFET
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富士通將收購三洋部分電池業(yè)務(wù)
北京時間10月28日消息,日本三洋電機公司表示,將出售部分電池業(yè)務(wù)給富士通子公司,作價64億日元(7000萬美元),這使得三洋在被松下公司計劃收購前,給了反壟斷監(jiān)管機構(gòu)一個交代。
2009-11-03
富士通 收購 三洋 電池業(yè)務(wù)
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北京首個太陽能電池生產(chǎn)基地正式投產(chǎn)
昨日下午,北京首個非晶硅薄膜太陽能電池生產(chǎn)基地——北京中錦陽150MW薄膜太陽能電池生產(chǎn)基地一期50MW工程在平谷馬坊綠能產(chǎn)業(yè)基地正式投產(chǎn)。
2009-11-03
北京 太陽能電池 基地 投產(chǎn)
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中國太陽能光伏企業(yè)抱團應(yīng)戰(zhàn)德國光伏企業(yè)
日前,歐美部分企業(yè)申請對中國產(chǎn)太陽能電池進行反傾銷調(diào)查,將光伏產(chǎn)業(yè)再次推上風(fēng)口浪尖。
2009-11-03
太陽能 光伏企業(yè) 德國 抱團 應(yīng)戰(zhàn)
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LED應(yīng)用的電源要求
LED的與傳統(tǒng)白熾燈有著根本的不同。LED的亮度是通過調(diào)節(jié)LED電流來控制的,而LED負載的電阻則會隨著所加負載的不同而變化。LED需要恒定的電流,而不是通過恒定電壓和電阻來保持恒定的亮度。本文介紹大功率LED電路的特點
2009-11-02
LED 電源 LED功耗
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防電磁干擾的重要措施——濾波技術(shù)
電磁防護主要有三項措施,即屏蔽、濾波和接地。往往單純采用屏蔽不能提供完整的電磁干擾防護,因為設(shè)備或系統(tǒng)上的電纜是最有效的干擾接收與發(fā)射天線。
2009-11-02
電磁防護 濾波
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國家標(biāo)準(zhǔn)助電子工廠提高生產(chǎn)效益
國家標(biāo)準(zhǔn)《電子工業(yè)潔凈廠房設(shè)計規(guī)范》已經(jīng)在今年7月1日正式頒布實施,這將對促進我國電子工程技術(shù)的發(fā)展,規(guī)范電子潔凈廠房的秩序起到積極的推動作用,也將為響應(yīng)國家促進節(jié)能環(huán)保的政策奠定一個良好的基礎(chǔ)。
2009-11-02
電子 國家標(biāo)準(zhǔn) 潔凈技術(shù)
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光電倍增管原理、特性與應(yīng)用
光電子應(yīng)用技術(shù)是一門新興的高新技術(shù),當(dāng)前還處于發(fā)展階段。相信它在21世紀(jì)必將有重大創(chuàng)新并迅速崛起。光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)也必將發(fā)展成為一種新興的知識經(jīng)濟,從而在新興技術(shù)領(lǐng)域形成巨大的生產(chǎn)力。本文主要介紹光電倍增管原理、結(jié)構(gòu)、特性與應(yīng)用。
2009-11-02
光電 倍增管 光電子
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并聯(lián)穩(wěn)壓器加快電源啟動速度
本文對比新舊設(shè)計方案,論證并聯(lián)穩(wěn)壓器加快電源啟動速度的方案
2009-10-30
穩(wěn)壓器 電源 啟動速度
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