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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺開創(chuàng)行業(yè)先河,是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù),經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝,完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施,可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下,敝社以往的產(chǎn)品在裝載時(shí),基板與脈沖變壓器是先通過手動方式進(jìn)行配線處理。然后,為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品,可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產(chǎn)工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國制定太陽能光伏政策要考慮國情
對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說,在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢,即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要是由消費(fèi)者來推動的,消費(fèi)者是真正的推動力?,F(xiàn)在半導(dǎo)體市場的發(fā)展很大程度上依賴于手持設(shè)備,比如智能手機(jī)、運(yùn)行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產(chǎn)品等。只有消費(fèi)者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設(shè)備和有特色的產(chǎn)品,才能促...
2010-03-15
應(yīng)用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù),是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為1.2m?,顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻
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高檔汽車音頻市場到2016年將翻一番
2010年全球車用高檔音響出貨量預(yù)計(jì)將上升到670萬套,比2009年的590萬增長12.9%。之前的2009年下降了8%。到2016年,出貨量將上升到1370萬套,約為2010年的兩倍。
2010-03-12
高檔汽車 音頻 市場 翻番
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元件價(jià)格走勢更新,商品IC供應(yīng)保持緊張
這是指在可預(yù)見的將來,庫存將保持精簡。許多供應(yīng)商對于目前的庫存水平感到非常滿意,盡管iSuppli公司追蹤的十分之九的供應(yīng)鏈節(jié)點(diǎn)庫存天數(shù)(DOI)仍接近歷史低位。只有電子制造服務(wù)(EMS)提供商的庫存出現(xiàn)增長。
2010-03-12
元件 價(jià)格 走勢 IC供應(yīng) 緊張
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2010年世界電子業(yè)圖新謀變
回眸2009年,蕭瑟秋風(fēng)吹遍了整個(gè)電子業(yè)界,除了便攜式電腦、液晶電視和智能手機(jī)出貨量有所增長外,其他絕大多數(shù)電子產(chǎn)品深陷泥淖,直到第三季度后才稍見好轉(zhuǎn)。
2010-03-12
電子業(yè) 3D電視 顯示器 上網(wǎng)本 PC 手機(jī)
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iSuppli預(yù)計(jì)2010年全球半導(dǎo)體營收達(dá)2797億美元
據(jù)iSuppli公司預(yù)測,2010年全球半導(dǎo)體營業(yè)收入預(yù)計(jì)將達(dá)到2797億美元,雖然這比2009年的2300億美元大增21.5%,但與2008年的2589億美元相比僅增長8%,而與2007年的2734億美元相比,增長率只有區(qū)區(qū)的2.3%。
2010-03-12
iSuppli 半導(dǎo)體 營業(yè)收入 反彈
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光電鼠標(biāo)技術(shù)在汽車上的應(yīng)用
本文僅簡單介紹了圖像傳感器在測速、定位方面的應(yīng)用實(shí)例,更多的應(yīng)用技術(shù)可以登錄國家知識產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站,查閱相關(guān)圖像測量法專利文獻(xiàn)。
2010-03-12
圖像傳感器 光電鼠標(biāo) ABS ESP
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