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技術(shù)文章

降低半導(dǎo)體金屬線電阻的沉積和刻蝕技術(shù)

銅的電阻率由其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配決定，并隨尺寸縮小而顯著提升。通常，銅線的制作流程是用溝槽刻蝕工藝在低介電二氧化硅里刻蝕溝槽圖形，然后通過(guò)大馬士革流程用銅填充溝槽。但這種方法會(huì)生出帶有明顯晶界和空隙的多晶結(jié)構(gòu)，從而增加銅線電阻。為防止大馬士革退火工藝中的銅...

2024-08-16

半導(dǎo)體金屬線電阻沉積刻蝕技術(shù)

第3講：SiC的晶體結(jié)構(gòu)

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能存在的晶體缺陷。

2024-08-16

SiC 晶體結(jié)構(gòu)

二進(jìn)制密鑰掃描實(shí)現(xiàn)預(yù)警守護(hù)，阻擊潛在供應(yīng)鏈重大安全隱患

作為一項(xiàng)針對(duì)線上社區(qū)的服務(wù)，JFrog安全研究團(tuán)隊(duì)持續(xù)掃描Docker Hub、NPM和PyPI等公共倉(cāng)庫(kù)，旨在識(shí)別惡意軟件包和泄露的密鑰。一旦發(fā)現(xiàn)潛在威脅，團(tuán)隊(duì)會(huì)立即通知相關(guān)維護(hù)人員，確保漏洞在攻擊者對(duì)其進(jìn)行利用之前便得到修復(fù)。盡管JFrog團(tuán)隊(duì)以往已多次檢測(cè)到相似方式泄露密鑰的安全隱患，但由于此次事...

2024-08-16

二進(jìn)制密鑰掃描預(yù)警守護(hù)

使用環(huán)路供電隔離器解決接地環(huán)路問(wèn)題

接地回路可能會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題。當(dāng)所有東西都在同一位置時(shí)，沒(méi)有輸入/輸出（電流）隔離的系統(tǒng)可能沒(méi)問(wèn)題，但當(dāng)系統(tǒng)分離時(shí)突然出現(xiàn)接地回路問(wèn)題。例如，一個(gè)位置的“地面”可能與另一個(gè)位置的“地面”不同。有時(shí)它們甚至可能來(lái)自兩個(gè)不同的電源電路。即使標(biāo)稱接地點(diǎn)相同，交流干擾和噪聲也可能不同。

2024-08-16

環(huán)路供電隔離器接地環(huán)路

全方面的高功率直流快速充電解決方案

直流快速充電能夠以更高的功率為電池充電，具有充電速度快、損耗低、充電效率高，可適應(yīng)大容量電池等優(yōu)點(diǎn)，提高了電動(dòng)車的可用性和便利性，隨著電動(dòng)車的普及和發(fā)展，已經(jīng)成為當(dāng)前電動(dòng)車充電應(yīng)用發(fā)展的主流技術(shù)，市場(chǎng)前景可期。本文將為您介紹直流充電的應(yīng)用發(fā)展趨勢(shì)，以及由艾睿電子與Infineon、ST...

2024-08-16

直流快速充電

隔離式狀態(tài)監(jiān)控通道之間的相位匹配：DAQ μModule應(yīng)用

能夠同時(shí)通過(guò)多個(gè)傳感器捕獲數(shù)據(jù)的狀態(tài)監(jiān)控系統(tǒng)，通常使用通道間隔離解決方案來(lái)消除接地環(huán)路。由于元件容差，板級(jí)分立信號(hào)鏈存在較大的通道間相位失配誤差，但ADI公司的精密信號(hào)鏈μModule?解決方案采用ADI的集成無(wú)源器件(iPassives?)技術(shù)，有效降低了相位失配誤差。

2024-08-16

監(jiān)控通道相位匹配 DAQ μModule應(yīng)用