-
RS瑞森半導體碳化硅二極管在光伏逆變器的應用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
-
氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對于其柵極驅(qū)動IC，如上期所介紹的，英飛凌對其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請了不少專利，其中就包括采用RC電路的負壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
-
不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓撲方案。文章針對這兩類拓撲進行參數(shù)設(shè)計，選取三種功率器件方案：
2022-12-13
-
如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動汽車設(shè)計能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設(shè)計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設(shè)計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設(shè)計中可以增加功率輸出，幫助充電器制造商實現(xiàn)占地面積更小、靈活性更高和可擴展性的目標。對有源功率元件使用先進的隔離封裝，可實現(xiàn)更高的功率密度并顯著減少電路設(shè)計中的熱管理工作，從而解決大功率充電的挑戰(zhàn)。
2022-12-13
-
提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法
對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)時需要著重關(guān)注的，一個高效的測試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。
2022-12-06
-
用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
-
通過利用電化學診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
-
RS瑞森半導體高壓MOS在開關(guān)電源中的應用
開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。
2022-11-10
-
IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
-
這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)
新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達峰”和“碳中和”目標的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個關(guān)鍵問題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡，風電、太陽能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風電和太陽能（光伏）等發(fā)電方式波動性較大，在新能源布局較多的西北部地區(qū)，由于用電負荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風”、“棄光”現(xiàn)象。
2022-10-31
-
庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應用等各個環(huán)節(jié)，測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。
2022-10-31
-
高集成度功率電路的熱設(shè)計挑戰(zhàn)
目前隨著科學技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進步，半導體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導體器件，會給使用者帶來更大的熱設(shè)計挑戰(zhàn)。
2022-10-28
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
- 貿(mào)澤電子自動化資源中心上線：工程師必備技術(shù)寶庫
- 隔離變壓器全球競爭圖譜：從安全隔離到能源革命的智能屏障
- 芯海科技盧國建：用“芯片+AI+數(shù)據(jù)”重新定義健康管理
- 云平臺智慧供熱系統(tǒng)：用數(shù)字神經(jīng)激活城市供熱的精準與高效
- HT876立體聲音頻功放芯片：兼容雙模式的便攜音頻功率放大新選擇
- 水利物聯(lián)網(wǎng)：用“數(shù)字神經(jīng)”激活水資源管理的智慧引擎
- 閥門氣密性檢測設(shè)備規(guī)范操作全指南：從準備到維護的精準流程
- TPS546D24S同步降壓轉(zhuǎn)換器：高安全數(shù)字電源的進階解決方案
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
