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高轉(zhuǎn)換率、符合CISPR 5類電磁輻射標準的穩(wěn)壓器長這樣
當設計中需要優(yōu)先考慮并盡可能減少EMI（電磁干擾）時，線性穩(wěn)壓器可以算得上一種低噪聲解決方案，但考慮到散熱和效率要求其并不適用于該種場景，反而需要選擇開關穩(wěn)壓器。即使在對EMI敏感的應用中，開關穩(wěn)壓器通常也是輸入電源總線上的第一個有源元件，無論下游變換器如何，它都會顯著影響整個轉(zhuǎn)換器的EMI性能。確?？梢酝ㄟ^電源IC的選取可以抑制EMI并達到效率要求，LT8614 Silent Switcher?穩(wěn)壓器做到了這一點。
2022-09-29
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什么是射頻衰減器？如何為我的應用選擇合適的RF衰減器？
本文延續(xù)之前的一系列短文，面向非射頻工程師講解射頻技術；我們將探討IC衰減器，并針對其類型、配置和規(guī)格提出一些見解。本文旨在幫助工程師更快了解各種IC產(chǎn)品，并為終端應用選擇合適的產(chǎn)品。該系列的相關文章包括："為應用選擇合適的RF放大器指南"、"如何輕松選擇合適的頻率產(chǎn)生器件"和"RF解密–了解波反射"。
2022-09-28
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使用碳化硅進行雙向車載充電機設計
電動汽車（EV）車載充電機（OBC）可以根據(jù)功率水平和功能采取多種形式，充電功率從電動機車等應用中的不到 2 kW，到高端電動汽車中的 22 kW 不等。傳統(tǒng)上，充電功率是單向的，但近年來，雙向充電越來越受到關注。本文將重點關注雙向 OBC，并討論碳化硅（SiC）在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）OBC 中的優(yōu)勢。
2022-09-27
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構建滿足特定應用要求的DPS系統(tǒng)需要考慮這些因素！
器件電源(DPS) IC具有靈活的電壓驅(qū)動和電流驅(qū)動容量，能夠為自動測試設備(ATE)提供動態(tài)測試能力。當負載電流介于兩個設定限流值之間時，DPS IC可以作為電壓源；在達到設定限流值時，DPS IC可以順利轉(zhuǎn)換為精密電流源。
2022-09-27
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最新的1200V CoolSiC MOSFET中的.XT技術如何提高器件性能和壽命
由于碳化硅（SiC）器件的低導通損耗和低動態(tài)損耗，英飛凌CoolSiC? MOSFET越來越多地被用于光伏、快速電動車充電基礎設施、儲能系統(tǒng)和電機驅(qū)動等工業(yè)應用。但與此同時，工程師也面臨著獨特的設計挑戰(zhàn)。實現(xiàn)更小的外形尺寸，同時保持功率變換系統(tǒng)的散熱性能，是相互矛盾的挑戰(zhàn)，但英飛凌創(chuàng)新的.XT技術與SiC技術提供了一個解決方案。
2022-09-27
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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發(fā)生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
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如何加強對Type-C數(shù)據(jù)線的充電保護？
USB Type-C（USB-C）電纜和連接器規(guī)范極大地簡化了實現(xiàn)互連和為數(shù)碼相機和超薄平板電腦等電子產(chǎn)品供電的方式（圖1）。該規(guī)范支持高達15W的USB-C充電應用，而USB-C功率傳輸（PD）將充電能力擴展至100W，包括各種可互換充電的設備。USB Type-C在系統(tǒng)保護方面帶來了新的挑戰(zhàn)。新連接器的間距比USB Micro-B小，增加了VBUS發(fā)生機械短路的風險。此外，由于USB PD具有高電壓，需要更強大的保護。最后，電子負載越來越復雜，需要加強ESD和電壓浪涌保護。此設計解決方案首先探討了USB Type-C PD架構以及與D+/D-數(shù)據(jù)信號保護相關的挑戰(zhàn)，然后提出了一種高度集成的2xSPDT開關，只需較少的BOM和PCB占用空間，就能夠攻克這些挑戰(zhàn)。
2022-09-19
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加速工業(yè)自動化升級，貿(mào)澤電子2022技術創(chuàng)新周第二期活動來襲
2022年9月16日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日舉辦貿(mào)澤電子技術創(chuàng)新周第二期專題活動。本期內(nèi)容將重點聚焦工業(yè)自動化，特邀來自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等國際知名廠商的資深技術專家，并攜手哈爾濱工業(yè)大學電磁驅(qū)動與控制研究所副所長，寧波市智能制造技術研究院副院長在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10兩個時間段，為大家?guī)砉I(yè)自動化的前沿應用與方案，展望工業(yè)自動化未來發(fā)展趨勢。
2022-09-16
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Molex與貿(mào)澤聯(lián)手推出射頻連接器內(nèi)容中心，介紹射頻連接器在智能農(nóng)業(yè)等領域中的應用
2022年9月15日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Molex合作推出新的內(nèi)容中心，深入探索射頻連接器的功能、挑戰(zhàn)和變革潛力。此內(nèi)容中心提供十多項關于射頻技術的豐富資源，包括播客節(jié)目、白皮書、博客文章和產(chǎn)品指南等。每項內(nèi)容都直接鏈接到貿(mào)澤網(wǎng)站上的Molex產(chǎn)品頁面，讓用戶輕松找到其設計所需的工具。
2022-09-15
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的關鍵挑戰(zhàn)，是設計一個滿足每位設計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關鍵要素。電源系統(tǒng)設計人員需要知道不同應用中的電源方案有何不同，比方說，一個800萬像素（MP）的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同，或幀率的不同（30 fps、60 fps、120 fps）如何改變他們的電源設計，多大頻率需要高電源抑制比(PSRR)，等等。本文意在強調(diào)在為當今任何圖像傳感器確定供電方案之前的基本考量。
2022-09-15
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GaN HEMT 大信號模型
GaN HEMT 為功率放大器設計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8 W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線性與信號電平、熱效應和環(huán)境條件之間存在復雜的依賴關系。這些因素往往給準確預測器件大信號性能造成更多困難。
2022-09-15
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貿(mào)澤贊助Silicon Labs主辦的Works With 2022年開發(fā)者大會
2022年9月14日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 自豪地宣布成為Silicon Labs Works With 2022年線上會議的鉆石贊助商。Works With是一場以互聯(lián)設備開發(fā)為主題的免費網(wǎng)絡活動，將于9月13日至15日舉行。欲了解更多信息并免費注冊，請訪問Works With 2022官方頁面：https://workswith.silabs.com/。
2022-09-14
- 國產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
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