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RS瑞森半導(dǎo)體之LLC方案設(shè)計(jì)有“理”可依
瑞森半導(dǎo)體照明方案利用LLC諧振電路工作原理構(gòu)成PFC電路，實(shí)現(xiàn)了高PF(可高達(dá)0.99）和低THD(小于10%）兩個(gè)性能，節(jié)省了APFC電路中所需要的芯片和PFC電感與MOS，極大減少了元件數(shù)量，不僅提升了驅(qū)動(dòng)整機(jī)的可靠性又縮小了驅(qū)動(dòng)成品的尺寸，從而使產(chǎn)品能夠適用于更最多的應(yīng)用場(chǎng)景。同時(shí)利用LLC諧振電路工作原理構(gòu)成PFC電路也可以實(shí)現(xiàn)軟開(kāi)關(guān)工作模式，具有應(yīng)力小、干擾源少等優(yōu)點(diǎn)，更易符合安規(guī)測(cè)試。
2023-01-06
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RS瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管在光伏逆變器的應(yīng)用
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許 SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過(guò) 200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢(shì)是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。
2022-12-30
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RS瑞森半導(dǎo)體-大功率開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用
大功率開(kāi)關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開(kāi)關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止。將直流電轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓，從而產(chǎn)生所需要的一組或多組電壓。
2022-12-16
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瑞薩電子將與Fixstars聯(lián)合開(kāi)發(fā)工具套件用于優(yōu)化R-Car SoC AD/ADAS AI軟件
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子宣布，將與專注于多核CPU/GPU/FPGA加速技術(shù)的全球卓越供應(yīng)商Fixstars（Fixstars Corporation）聯(lián)合開(kāi)發(fā)用以優(yōu)化并快速模擬專為瑞薩R-Car片上系統(tǒng)（SoC）所設(shè)計(jì)的自動(dòng)駕駛（AD）系統(tǒng)及高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）的軟件工具。借助這些工具，在軟件開(kāi)發(fā)的初始階段便可充分利用R-Car的性能優(yōu)勢(shì)來(lái)快速開(kāi)發(fā)具有高精度物體識(shí)別功能的網(wǎng)絡(luò)模型，由此減少開(kāi)發(fā)后返工，進(jìn)一步縮短開(kāi)發(fā)周期。
2022-12-15
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RS瑞森低壓MOS在電動(dòng)車控制器中的應(yīng)用
電動(dòng)車最初是用來(lái)替代自行車和摩托車，由于其具有便捷、經(jīng)濟(jì)環(huán)保等特點(diǎn)，很快便占據(jù)了龐大市場(chǎng)，并逐漸發(fā)展了電動(dòng)三輪車、小型電動(dòng)工程車、電動(dòng)觀光車等各種類型的電動(dòng)車。
2022-12-12
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高可靠性電容式MEMS麥克風(fēng)在車載中的應(yīng)用
采用MEMS技術(shù)制造的電容式硅麥克風(fēng)在小型化、性能、可靠性、環(huán)境耐受性、成本及量產(chǎn)能力上與ECM（Electret Capacitance Microphone）相比具有巨大優(yōu)勢(shì)，一經(jīng)推出變迅速占領(lǐng)手機(jī)、PDA（Personal Digital Assistant）、耳機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng)。
2022-12-09
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固態(tài)硅芯片數(shù)字化交流電源轉(zhuǎn)換
消費(fèi)類應(yīng)用的電源適配器和充電器通常由變壓器和其他無(wú)源元件組成，它們連接到電路板上的有源元件，以將輸入的交流信號(hào)轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。AmberSemi 是一家位于加利福尼亞州都柏林的無(wú)晶圓廠半導(dǎo)體公司，正在研究通過(guò)基于固態(tài)硅的解決方案將輸入交流電源的感應(yīng)、控制和功率轉(zhuǎn)換數(shù)字化的技術(shù)。
2022-12-09
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基于傳感器內(nèi)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的模擬-信息轉(zhuǎn)換技術(shù)，可顯著降低傳感器功耗
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，亞利桑那州立大學(xué)（Arizona State University）介紹了一種片上模擬-信息轉(zhuǎn)換技術(shù)，該技術(shù)利用基于儲(chǔ)層計(jì)算范式的模擬超維計(jì)算，在本地傳感器內(nèi)處理心電圖（electrocardiograph，ECG）信號(hào)，并將射頻（RF）傳輸減少三個(gè)數(shù)量級(jí)以上。片上模擬-信息轉(zhuǎn)換器不是傳輸稀疏的ECG信號(hào)或提取的特征，而是通過(guò)一個(gè)附有人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的非線性存儲(chǔ)內(nèi)核來(lái)分析ECG信號(hào)，并傳輸預(yù)測(cè)結(jié)果。所開(kāi)發(fā)的技術(shù)被證明可用于檢測(cè)敗血癥發(fā)作，并實(shí)現(xiàn)了超高的準(zhǔn)確度和能效，同時(shí)使用65nm CMOS原型測(cè)試芯片將傳感器功耗降低了159倍。
2022-12-06
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RS瑞森半導(dǎo)體-PCB LAYOUT中ESD的對(duì)策與LLC方案關(guān)鍵物料選型分享
運(yùn)用LAYOUT技巧改善性能，可提升產(chǎn)品性價(jià)比，把握關(guān)鍵物料選型可降低產(chǎn)品故障率，縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)周期，加快產(chǎn)品上線。
2022-12-02
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RS瑞森半導(dǎo)體低壓MOS在小家電的應(yīng)用
MOSFET是集成電路中帶有絕緣層的柵型場(chǎng)效應(yīng)管，主要分為N溝道和P溝道兩大類。其中N溝道MOS管電路中BEEP引腳可以控制蜂鳴器響應(yīng)和關(guān)閉，P溝道MOS管可以控制GPS模塊電源的通斷?？偟膩?lái)說(shuō)MOS管有著很高的輸入阻抗，能夠在電路中方便直接耦合，容易制作成為大規(guī)模的集成電路，還能作為可變電阻和電子開(kāi)關(guān)。
2022-11-25
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RS瑞森半導(dǎo)體超高壓MOSFET 900V-1500V填補(bǔ)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空白
現(xiàn)階段半導(dǎo)體市場(chǎng)，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進(jìn)口品牌壟斷，并存在價(jià)格高、交付周期長(zhǎng)等問(wèn)題，為填補(bǔ)國(guó)內(nèi)該項(xiàng)系列產(chǎn)品的市場(chǎng)空白，瑞森半導(dǎo)體采用新型的橫向變摻雜技術(shù)，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設(shè)計(jì)，研發(fā)出電壓更高、導(dǎo)通內(nèi)阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進(jìn)口品牌壟斷的局面?。
2022-11-21
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純固態(tài)+補(bǔ)盲 車載激光雷達(dá)競(jìng)爭(zhēng)迎來(lái)新局面
禾賽科技正式發(fā)布了面向ADAS前裝量產(chǎn)車的純固態(tài)近距補(bǔ)盲激光雷達(dá)FT120。11月7日，速騰聚創(chuàng)在其Tech Day上也發(fā)布了基于自研芯片和全新技術(shù)平臺(tái)的全固態(tài)補(bǔ)盲激光雷達(dá)RS-LiDAR-E1，也同樣面向前裝量產(chǎn)。而在更早的5月份，亮道智能就已經(jīng)率先發(fā)布了其第一代純固態(tài)側(cè)向補(bǔ)盲激光雷達(dá)產(chǎn)品LDSatellite。
2022-11-17
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化：CTSD如何重塑現(xiàn)代信號(hào)鏈架構(gòu)
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