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第 4 代碳化硅技術(shù):重新定義高功率應(yīng)用的性能和耐久性
本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承,Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案,重新定義行業(yè)基準(zhǔn)。在第 4 代發(fā)布之前,第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項(xiàng)重要設(shè)計(jì)要素的平衡,已在廣泛用例中得到驗(yàn)證,為硬開關(guān)應(yīng)用的全面性能設(shè)定了基準(zhǔn)。
2025-02-20
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可再生電力:道達(dá)爾能源將在15年內(nèi)為意法半導(dǎo)體法國(guó)供電1.5億千瓦時(shí)
道達(dá)爾能源公司 (TotalEnergies) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 簽署了一份實(shí)體購(gòu)電協(xié)議,為意法半導(dǎo)體位于法國(guó)的工廠供應(yīng)可再生電力,這份為期十五年的合同于 2025 年 1 月生效,總購(gòu)電量為 1.5 億千瓦時(shí) (TWh)。
2025-02-18
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功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)(一)綜述
工業(yè)應(yīng)用中,功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大,設(shè)計(jì)看似簡(jiǎn)單,但要設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單低成本的電路并不容易。這就需要一個(gè)集成度高,外圍器件少,功率密度高的DCDC輔助電源方案,減小線路板面積,這對(duì)避免受干擾,提高可靠性也有幫助。這是開發(fā)EiceDRIVER? Power 2EP系列的背景。
2025-02-18
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設(shè)計(jì)高壓SIC的電池?cái)嚅_開關(guān)
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng),由單相或三相電網(wǎng)功率或儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)提供動(dòng)力,可以通過(guò)固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_連接開關(guān)時(shí),需要考慮一些基本的設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù),設(shè)備類型,熱包裝,設(shè)備堅(jiān)固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導(dǎo)體技術(shù)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng),并為高壓,高電流電池?cái)嚅_開關(guān)定義了半導(dǎo)體包裝,以及表征系統(tǒng)寄生電感和過(guò)度流動(dòng)保護(hù)限制的重要性。
2025-02-16
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如何測(cè)量PMIC的PSRR
PSRR是一個(gè)重要參數(shù),可評(píng)估LDO在輸入電源中的變化中保持一致輸出電壓的能力。在輸入電源體驗(yàn)波動(dòng)的情況下,實(shí)現(xiàn)高PSRR至關(guān)重要,從而確保輸出電壓的可靠性。下圖1說(shuō)明了測(cè)量PSRR的一般方法。
2025-02-16
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第15講:高壓SiC模塊封裝技術(shù)
SiC芯片可以高溫工作,與之對(duì)應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫,其封裝技術(shù)相對(duì)傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)做了很大改進(jìn),本文帶你詳細(xì)了解內(nèi)部的封裝技術(shù)。
2025-02-14
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意法半導(dǎo)體與HighTec EDV-Systeme合作助力打造更安全的軟件定義汽車
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 和 HighTec EDV-Systeme公司合作開發(fā)了一套先進(jìn)的汽車功能安全整體解決方案,以加快安全關(guān)鍵的汽車系統(tǒng)開發(fā),提高軟件定義汽車的安全性和經(jīng)濟(jì)性。
2025-02-14
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迎刃而解——華大九天Polas利器應(yīng)對(duì)功率設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
電源管理集成電路(PMIC)設(shè)計(jì)涉及電源轉(zhuǎn)換、電壓調(diào)節(jié)、電流管理等核心領(lǐng)域。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的演進(jìn),功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴(yán)苛的功率/熱耗散要求;金屬互聯(lián)層的電阻在整體導(dǎo)通電阻中的占比越來(lái)越大;異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對(duì)參數(shù)提取的準(zhǔn)確性造成了影響;封裝對(duì)芯片內(nèi)電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對(duì)功率設(shè)計(jì)在電遷移(EM)、熱性能(Thermal)和導(dǎo)通電阻(RDSon)等可靠性方面帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。此外,如何高效地驅(qū)動(dòng)具有較大有效柵極寬度的PowerMOS,以及如何防止上下管開關(guān)切換過(guò)程中的穿通漏電現(xiàn)象,也成為功率設(shè)計(jì)領(lǐng)域的核心難題。
2025-02-13
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貿(mào)澤電子推出在線汽車資源中心助力工程師實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新設(shè)計(jì)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出內(nèi)容豐富的汽車資源中心,為工程師提供設(shè)計(jì)創(chuàng)新應(yīng)用所需的工具。汽車行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)由技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)的快速轉(zhuǎn)型,SAE 3級(jí)ADAS是其中的一項(xiàng)重要技術(shù)。實(shí)現(xiàn)這一級(jí)別的車輛在未請(qǐng)求駕駛?cè)私庸艿那闆r下,可通過(guò)升級(jí)的激光雷達(dá) (LiDAR)、雷達(dá)和攝像頭等傳感器實(shí)現(xiàn)完全自主駕駛。這種自主性不僅將重塑我們對(duì)交通的認(rèn)知,更有望提升安全功能、減少交通擁堵,以及增強(qiáng)殘障人士出行的便利性。
2025-02-11
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意法半導(dǎo)體監(jiān)事會(huì)擬在2025 年度股東大會(huì)提名新監(jiān)事人選
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布,監(jiān)事會(huì)已同意在公司 2025 年度股東大會(huì)上提議股東批準(zhǔn)Werner Lieberherr接任2025 年度股東大會(huì)結(jié)束時(shí)任期屆滿的Janet Davidson,擔(dān)任意法半導(dǎo)體監(jiān)事一職。
2025-02-08
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貿(mào)澤電子2024年新增逾60家供應(yīng)商持續(xù)為客戶擴(kuò)大產(chǎn)品代理陣容
專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2024年新增超過(guò)60家供應(yīng)商,產(chǎn)品代理陣容持續(xù)擴(kuò)大,為廣大電子設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類先進(jìn)產(chǎn)品,讓設(shè)計(jì)人員輕松獲得各項(xiàng)新技術(shù),協(xié)助其加快產(chǎn)品上市速度。
2025-02-08
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意法半導(dǎo)體公布2024年第四季度及全年財(cái)報(bào)
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 公布了按照美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則 (U.S. GAAP) 編制的截至2024年12月31日的第四季度財(cái)報(bào)。此外,本新聞稿還包含非美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù) (詳情參閱附錄)。
2025-02-07
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