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如何從正電壓電源獲得負電壓，正電壓轉(zhuǎn)負電壓的方法圖解
該電路圖顯示了如何從正電壓電源獲得負電壓。該電路的另一個優(yōu)點是，負電壓與原始正電源一起可用于模擬雙電源。該電路基于定時器ICNE555。NE555作為非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器接線，工作頻率約為1KHz。方波輸出（如果位于IC的引腳3處）。
2023-07-25
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借助更多的選項響應正反饋
負反饋什么時候會變成正反饋？當控制工程師想要實現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設計人員提供理想性能和多種器件選擇，同時支持更高的設計靈活性，從而實現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設計。
2023-07-24
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華潤微總裁李虹：中國半導體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國內(nèi)IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導體市場規(guī)模在過去的一年當中，增速弱于全球，呈現(xiàn)周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動器設計技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和情況下軟關斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅(qū)動輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI)——在 VCM = 1500 V條件下可承受 100kV/us（最小值），輸入信號范圍涵蓋 5 V 和 3.3 V，輸出差分偏置電壓（VDD2-VEE2）最高 25 V（最大值），VDD2 額定值為 25 V（最大值），VEE2 額定值為 -10 V（最大值）。NCD(V)5700x 提供 5 kVrms 電流隔離和 1.2 kV 工作電壓能力，輸入和輸出之間的爬電距離保證至少 8 mm。寬體 SOIC-16 封裝滿足增強型安全絕緣要求。
2023-07-21
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LM358的工作電壓范圍
手邊有一堆之前購買到的 LM358 低功耗雙運放 IC 芯片。下面計劃對其基本功能進行測試。這是在面包板上搭建的一個振蕩電路。電路輸出方波和三角波。應用 LM358 其中的一個運放，R1，R2 正反饋網(wǎng)絡使得LM358形成斯密特特性的比較器。R3, C1 構(gòu)成負反饋，形成多諧振蕩器。這是測量電路工作波形。藍色信號是 LM358的輸出，青色波形是 C1 電容上的充放電波形。振蕩頻率為 1.826kHz。下面應用這個電路來測量兩個特性。一個是振蕩電路隨著工作電壓變化，對應的頻率變化。另外一個是該電路的最大工作電壓是多少。下面讓我們看一下測量的結(jié)果。
2023-07-20
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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安森美引領行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢
本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識，接下來介紹開關損耗提取技術(shù)和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開關損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLECS 模型以及相關的影響。總結(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)其他用于電力電子系統(tǒng)級仿真的工具更精確的原因。
2023-07-19
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進而可以實現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應用，以及由Wolfspeed推出的SiC電源解決方案。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子第六次斬獲Molex年度全球優(yōu)質(zhì)服務代理商獎
2023年7月19日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) ，宣布榮獲全球電子產(chǎn)品知名企業(yè)和連接創(chuàng)新者Molex頒發(fā)的2022年度全球優(yōu)質(zhì)服務（目錄）代理商獎。這也是貿(mào)澤第六次斬獲這一全球知名獎項，貿(mào)澤憑借2022年度全球客戶數(shù)大幅增長，以及增速迅猛的銷售業(yè)績而獲此殊榮。
2023-07-19
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貿(mào)澤電子為設計工程師提供豐富多樣的技術(shù)電子書
專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布了三本與設計相關的新電子書，深入開展一系列技術(shù)探討，包括城市空中運輸電動交通工具的未來、車隊遠程信息處理設計，以及下一代系統(tǒng)架構(gòu)的進展。
2023-07-18
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PFC電路：死區(qū)時間理想值的考量
由于該電路是進行同步整流工作的電路，所以我們通過仿真來探討高邊（HS）和低邊（LS）SiC MOSFET SCT2450KE的死區(qū)時間理想值，即不直通的最短時間。死區(qū)時間可以通過仿真工具的PWM控制器參數(shù)TD1（HS）和TD2（LS）來分別設置。
2023-07-18
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計算DC-DC補償網(wǎng)絡的分步過程
本文旨在幫助設計人員了解DC-DC補償?shù)墓ぷ髟?、補償網(wǎng)絡的必要性以及如何使用正確的工具輕松獲得有效的結(jié)果。該方法使用LTspice?中的一個簡單電路，此電路基于電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的一階（線性）模型1。使用此電路，無需執(zhí)行復雜的數(shù)學計算即可驗證補償網(wǎng)絡值。
2023-07-17
- 國產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車電子
- 揭秘未來勞動力：貿(mào)澤與Molex新電子書解析機器人技術(shù)變革
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