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ACPL-312U：安華高可在延伸溫度范圍下工作的2.5A 門極驅(qū)動光電耦合器
安華高科技推出業(yè)內(nèi)第一款可以在延伸溫度范圍下工作的 2.5A 門極驅(qū)動光電耦合器ACPL-312U。它具有高速響應(yīng)，低功耗，-40°C 到 125°C 的延伸工業(yè)溫度范圍，采用標準 DIP-8 封裝。可直接推動達 1200V/100A 的 IGBT 晶體管。
2009-05-27
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET
意法半導(dǎo)體（ST）開發(fā)出了用于配備太陽能電池功率調(diào)節(jié)器的MOSFET。耐壓650V，有最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A）的“STY112N65M5”和最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A）的“STW77N65M5”。 此前，太陽能電池功率調(diào)節(jié)器一直使用IGBT，但由于MOSFET的導(dǎo)通電阻不斷降低，因此MOSFET正逐漸取代IGBT。
2009-02-25
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滿足可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動應(yīng)用 英飛凌擴產(chǎn)功率模塊
近日，英飛凌科技股份公司宣布，該公司正在擴建其位于匈牙利Cegléd的功率模塊生產(chǎn)工廠，以滿足日益增長的對于可再生能源和傳統(tǒng)電機驅(qū)動系統(tǒng)的需求。2012年英飛凌計劃使Cegléd工廠的IGBT模塊達到年產(chǎn)近600萬塊。
2009-02-12
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TIG058E8：三洋半導(dǎo)體開發(fā)出面積縮小60％的手機閃光燈用IGBT
三洋半導(dǎo)體開發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機的拍照功能。可通過IGBT的開關(guān)操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲的電力，使氙氣管發(fā)光。
2009-02-02
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IGBT模塊的并聯(lián)：從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計方法
IGBT模塊在并聯(lián)時的降額必然性問題是個關(guān)鍵的問題，之前采用的方法是最壞情況分析方法，英飛凌公司現(xiàn)在推出蒙特卡羅模擬工具。最差情況分析結(jié)果僅僅表明最高結(jié)溫可能達到IGBT的溫度限值，蒙特卡羅分析則提供更詳細的信息。
2009-02-01
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1200V IGBT4：具備優(yōu)化特性的英飛凌新一代功率半導(dǎo)體
對于采用先進、高效的變頻器的工業(yè)節(jié)能應(yīng)用市場而言，經(jīng)過優(yōu)化的各種功率半導(dǎo)體是不可或缺的。英飛凌推出的全新1200V IGBT4 系列，結(jié)合改進型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足現(xiàn)代化變頻器的要求。
2009-01-22
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將IGBT 用于不間斷電源中
本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統(tǒng)中的應(yīng)用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實際應(yīng)用中應(yīng)注意的問題。
2008-12-15
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高性能IGBT提高太陽能逆變器效率
飛兆半導(dǎo)體的截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽能逆變器以及微波爐和感應(yīng)加熱類的應(yīng)用，可以幫助設(shè)計師減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，實現(xiàn)極高的效率。
2008-11-25
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IGBT模塊驅(qū)動及保護技術(shù)
本文在詳細分析了IGBT柵極特性的基礎(chǔ)上，對模塊的驅(qū)動保護電路提出了具體的設(shè)計方案——IGBT驅(qū)動電路必須具備控制電路－柵極的電隔離和提供合適的柵極驅(qū)動脈沖的功能，同時可以采用慢降壓柵技術(shù)實現(xiàn)IGBT的過流保護電路。
2008-11-05
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倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負載短路的保護
本文倍頻式ICBT高頻感應(yīng)加熱電源電路保護為例，通過對負載短路時的電路特性的研究，提出了電路參數(shù)的選擇原則，更好的實現(xiàn)電路的保護。
2008-11-03
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IGBT驅(qū)動與保護技術(shù)在直流調(diào)速系統(tǒng)中的應(yīng)用
本文將大功率開關(guān)器件IGBT應(yīng)用在功率變換電路及直流調(diào)速系統(tǒng)中。闡述了IGBT 驅(qū)動器的基本要求，同時介紹了EXB841 芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，并分析了系統(tǒng)的工作原理。
2008-11-02
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使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)
柵極電阻會影響IGBT的開關(guān)時間、開關(guān)損耗及各種其他參數(shù)，必須根據(jù)具體應(yīng)用的參數(shù)非常仔細地選擇和優(yōu)化。一般情況下，減小柵極電阻阻值可降低IGBT的開關(guān)損耗，但同時也必須注意快速的導(dǎo)通關(guān)斷所帶來的電壓尖峰和電磁干擾。
2008-11-02
- 從噪聲抑制到功耗優(yōu)化：CTSD如何重塑現(xiàn)代信號鏈架構(gòu)
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