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用IGBT實現(xiàn)高壓大功率變頻器
目前，高壓大功率變頻器是一個十分重要的應(yīng)用領(lǐng)域。而基于IGBT的變頻器其功率等級最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高壓變頻器用IGBT就難以實現(xiàn)。目前，ABB等國際大公司均推出了基于IGBT的三電平變頻器。但在高壓大功率應(yīng)用條件下，三電平技術(shù)的可靠性在國內(nèi)還有待于提高。此外，高壓大功率變頻器的性能試驗也是一個難題。
2012-10-25
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具有2.5A輸出電流的智能IGBT光電耦合驅(qū)動器
飛兆半導體開發(fā)了一款先進的具有2.5A輸出電流能力的智能IGBT光電耦合驅(qū)動器產(chǎn)品，此器件具有一個集成式的柵極驅(qū)動光電耦合器，其備有低RDS(ON) CMOS晶體管，能助力實現(xiàn)IGBT的軌至軌驅(qū)動，適用于驅(qū)動功率IGBT和MOSFET的快速開關(guān)。
2012-10-22
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設(shè)計EPS應(yīng)急電源必須考慮的要素
EPS應(yīng)急電源可以說是近兩年才迅猛發(fā)展起來的一個新興產(chǎn)業(yè)，相比于發(fā)展成熟的UPS而言，有相同之處，也有不同之處。其相同點在于都具備在市電故障(中斷)情況下繼續(xù)向負載提供交流電源的功能，均采用了IGBT逆變技術(shù)和脈寬調(diào)制(PWM)技術(shù)。
2012-10-22
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針對家電電機驅(qū)動應(yīng)用的600V超高速溝道IGBT
IR公司新推出600V超高速溝道IGBT，該器件可大幅降低開關(guān)與導通損耗，在更高頻率下可提升功率密度和效率。并具有6A額定電流及不小于 5μs的最低短路額定值，適用于廣泛的開關(guān)頻率，最高達20kHz。
2012-10-19
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導通損耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi擴展其NPT IGBT產(chǎn)品系列，發(fā)布三款1200V IGBT新產(chǎn)品。相比競爭產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能，總體開關(guān)和導通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設(shè)計用于大功率的高性能開關(guān)模式產(chǎn)品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關(guān)電源。
2012-09-13
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發(fā)力電機驅(qū)動應(yīng)用，飛兆半導體推最新IGBT
此次，飛兆半導體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機驅(qū)動效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿足嚴格的能效指標。
2012-09-10
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簡單實現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流保護
盡管功率場效應(yīng)VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導體元器件層出不窮，且在電力電子技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)重要位置，晶閘管（可控硅） 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性，仍有著穩(wěn)固的陣地，受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執(zhí)行等多個環(huán)節(jié)的情況下，將單結(jié)晶體管移相觸發(fā)器中的晶體管誤差放大器改為集成運算放大器，就可實現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流及短路保護，簡化了電路結(jié)構(gòu)，并提高了整機的穩(wěn)定可靠性能和AC - DC變換效率。
2012-08-29
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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開關(guān)損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關(guān)損耗，在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下，可以支持更高的開關(guān)頻率。設(shè)計人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實現(xiàn)更高的輸出功率。
2012-06-21
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羅姆實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達到50kHz以上的開關(guān)頻率
2012-06-18
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Fairchild推出低功耗點火IGBT器件，可將VSAT降低多達20%
為了滿足現(xiàn)今和新興點火系統(tǒng)對排放和高燃油效率的嚴苛要求，汽車設(shè)計人員需要更高性能的點火線圈驅(qū)動器技術(shù)。為幫助設(shè)計人員滿足這些要求，飛兆半導體公司推出了在較小的占位面積下具有更低功耗的最新一代點火IGBT器件。EcoSPARK2、FGD3040G2和FDG3440G2點火線圈驅(qū)動器可將VSAT降低多達20%，而不會顯著降低自箝位感性負載開關(guān)的能量。這項優(yōu)化特性減低了功耗和工作結(jié)溫，并降低了對散熱器的要求。
2012-06-04
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IR 600V車用COOLiR IGBT開關(guān)速度比肩MOSFET
國際整流器公司 (IR)推出600V車用IGBT平臺COOLiRIGBT，能夠以MOSFET一樣快的開關(guān)速度運行，適合電動車 (EV) 和混合動力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電池充電器等。
2012-05-30
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英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實現(xiàn)裝置的小型輕量化。這是因為新產(chǎn)品可實現(xiàn)高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關(guān)損失。因此，電感器及電容器等被動元件可使用小型產(chǎn)品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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