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基于TE mini array 的ESD防護設(shè)計
IC的集成度越來越高，但唯獨 ESD 防護功能無法集成，卻變得更為敏感。因此對于IC的ESD防護也十分重要且必不可少。本文將講解基于TE的ESD靜電防護產(chǎn)品mini array在USB3.0及HDMI1.4接口的ESD防護設(shè)計。
2013-05-23
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新型電源柵極驅(qū)動器設(shè)計
高功率電平帶來更高的系統(tǒng)電壓，轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動器，它的高電源/輸出驅(qū)動電壓范圍為10到35V，讓其成為12V Si MOSFET應用和IGBT/SiC FET應用的理想選擇。
2013-05-17
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SICK推出電容式接近開關(guān)CM12
CM12電容式接近開關(guān)針對各種非金屬測量應用進行了優(yōu)化，其外殼尺寸為直徑12mm，但檢測距離卻能達8mm，節(jié)省了安裝空間之余還拓寬了其應用范圍。
2013-05-16
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SICK推出新一代方型電感式接近開關(guān)IQ08/10/12
新一代IQ 系列方型電感式接近開關(guān)，提供IQ08，IQ10 以及IQ12 三種規(guī)格，在產(chǎn)品性能上繼續(xù)延續(xù)上一代產(chǎn)品的優(yōu)點，還引入了多項技術(shù)以提高產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性應對惡劣環(huán)境應用。
2013-05-16
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Vicor零電壓DCDC轉(zhuǎn)換器 挑戰(zhàn)環(huán)境嚴苛、空間受限應用
Vicor擴展Picor旗下的隔離式Cool-Power ZVS DC-DC轉(zhuǎn)換器，提供高密度 (334 W/in3) 方案。該轉(zhuǎn)換器連接QuietPower有原EMI濾波器, 將進一步提升整個的模塊式方案的性能,適合嚴苛的，空間受限的工業(yè)和航空、國防應用。
2013-05-15
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esd是什么意思？esd詳情解析
近年來隨著科學技術(shù)的飛速發(fā)展、微電子技術(shù)的廣泛應用及電磁環(huán)境越來越復雜，對靜電放電的電磁場效應如電磁干擾（ＥＭＩ）及電磁兼容性（ＥＭＣ）問題越來越重視。esd應用可謂是越來越廣泛，ESD是代表英文ElectroStatic Discharge即"靜電放電"的意思。所以esd是值得我們好好學習的，現(xiàn)在我們就深入了解esd簡介和esd常見概念及應用。
2013-05-15
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VGA 是什么意思？
知道VGA 是什么意思嗎？VGA英文全稱Video Graphics Array，即視頻圖形陣列。是IBM在1987年隨PS/2機一起推出的一種視頻傳輸標準，具有分辨率高、顯示速率快、顏色豐富等優(yōu)點，在彩色顯示器領(lǐng)域得到了廣泛的應用?，F(xiàn)在我們就深入了解VGA。
2013-05-15
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西部電子行業(yè)發(fā)展前沿 參觀注冊好禮相送
2013年6月20—22日，中國電子展（CEF）系列展覽之一的“2013中國（成都）電子展” (www.icef.com.cn )將在成都世紀城新國際會展中心召開。在20000平方米的展廳中，將匯集國內(nèi)外的600余家領(lǐng)軍企業(yè)參展，12場專業(yè)研討會和高峰論壇。
2013-05-13
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微波射頻電路及系統(tǒng)設(shè)計研討會 助力西部核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展 為西部RF、微波和高頻電路及系統(tǒng)行業(yè)策劃的新技術(shù)交流會
“2013成都高頻電路及系統(tǒng)技術(shù)研討會”（6月21日 成都世紀城新國際會展中心）如火如荼進行中，此次會議與“2013中國成都電子展”同期舉辦。是由專注于微波、射頻、無線技術(shù)的行業(yè)門戶網(wǎng)站微波射頻網(wǎng)（MWRF.NET）和中國歷史最悠久、最權(quán)威的中國電子展組委會聯(lián)合主辦的，已開通官方網(wǎng)站：http://www.mwrfexpo.com/2013/cd.shtml和www.icef.com.cn。
2013-05-13
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基于UCC27531的電源開關(guān)驅(qū)動設(shè)計
德州儀器UCC27531單通道柵極驅(qū)動器可以非?？拷娫撮_關(guān)柵極放置。相比在一塊單IC中組合高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動器，它的靈活度更高，可幫助最小化驅(qū)動器和電源開關(guān)之間的電感，并讓設(shè)計人員能夠更好地控制開關(guān)柵極。
2013-05-09
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SiC BJT：比同類產(chǎn)品實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個替代技術(shù)，它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開關(guān)頻率，傳導和開關(guān)損耗降低(30-50%)，從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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封裝技術(shù)的概述與比較
目前，封裝技術(shù)在當代的應用可謂是越來越廣泛，通過對上一遍文章的了解，我們也大致已經(jīng)對封裝技術(shù)多多少少有所了解了，現(xiàn)在我們就繼續(xù)來深入了解封裝技術(shù)，關(guān)于封裝技術(shù)的B功率型LED封裝技術(shù)概述、封裝技術(shù)的功率型LED白光技術(shù)、封裝技術(shù)的LED單芯片封裝、封裝技術(shù)的半導體封裝技術(shù)、封裝技術(shù)的比較、封裝技術(shù)的微電子封裝技術(shù)、封裝技術(shù)的IC發(fā)展對微電子封裝推動、封裝技術(shù)的COB技術(shù)、封裝技術(shù)的Flipchip技術(shù)。
2013-05-08
- 高性能差分信號路由：CBMG709在工業(yè)控制系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用
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