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Si8499DB：Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級(jí)MICRO FOOT?封裝的P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導(dǎo)通電阻。
2010-04-29
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臺(tái)灣電子設(shè)備業(yè)整合搶占大陸商機(jī)
據(jù)“中央社”報(bào)道，臺(tái)灣電子設(shè)備協(xié)會(huì)(TEEIA)理事長(zhǎng)葉勝發(fā)表示，臺(tái)灣與大陸設(shè)備業(yè)者具互補(bǔ)效果，TEEIA將整合島內(nèi)設(shè)備業(yè)，促進(jìn)兩岸交流合作，攜手搶攻大陸市場(chǎng)商機(jī)。
2010-04-27
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飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33?)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。
2010-04-27
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IHLP-1212BZ-11：Vishay推出其最小的IHLP器件
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款I(lǐng)HLP?小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22μH至1.5μH的標(biāo)準(zhǔn)感值，其最高頻率可達(dá)1.0MHz。
2010-04-26
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賽靈思正式授權(quán)科通集團(tuán)為中國(guó)代理商
全球領(lǐng)先的可編程邏輯供應(yīng)商賽靈思公司日前宣布正式授權(quán)中國(guó)本土最大電子元器件及方案提供商之一、納斯達(dá)克上市公司科通集團(tuán)（Comtech）為賽靈思中國(guó)授權(quán)分銷商。 根據(jù)雙方達(dá)成的代理協(xié)議，科通集團(tuán)將在中國(guó)地區(qū)代理賽靈思公司的全線產(chǎn)品：包括所有的可編程門陣列（FPGA）產(chǎn)品、復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）產(chǎn)品、開發(fā)軟件和IP內(nèi)核。此授權(quán)即日起立即生效。
2010-04-23
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針對(duì)照明領(lǐng)域，Avago新推高功率LED產(chǎn)品
為適應(yīng)廣告顯示背光、廣告招牌以及輪廓照明等應(yīng)用，安華高科技（Avago Technologies）新推高功率3W LED產(chǎn)品ASMT-Ax3x。該產(chǎn)品主要瞄準(zhǔn)建筑照明、零售顯示照明以及裝飾照明等領(lǐng)域。
2010-04-22
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采用FPGA實(shí)現(xiàn)100G光傳送網(wǎng)
從2007年到2012年，IP總流量將增加6倍，幾乎每?jī)赡昃头丁?012年之前，流量每年增長(zhǎng)522exabytes(1018，即zettabyte的一半)。這種指數(shù)增長(zhǎng)的主要推動(dòng)力量是高清晰視頻和高速寬帶消費(fèi)類應(yīng)用。OTN將一直是主流標(biāo)準(zhǔn)，因?yàn)樗俣茸羁欤首罡?。OTN支持非常高的傳輸速度，而且還能夠靈活的擴(kuò)容，以滿足未來(lái)的需求。本文介紹全光的100G光傳送網(wǎng)
2010-04-22
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3D電視紛紛上市 國(guó)內(nèi)品牌面臨專利桎梏
三星電子亞洲映像顯示器事業(yè)部營(yíng)銷總裁秋淙皙表示，目前三星電子還沒有單獨(dú)研發(fā)3D節(jié)目源的計(jì)劃，“但三星已經(jīng)與美國(guó)影視巨頭夢(mèng)工廠及Technicolor建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，推出三星獨(dú)家的3D節(jié)目——例如夢(mèng)工廠2009年影片《怪獸大戰(zhàn)外星人》為三星提供了專門的加長(zhǎng)3D版?！鼻镤瑞f(shuō)。
2010-04-22
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全球鋰電池正極材料市場(chǎng)現(xiàn)況
鋰電池包括鋰離子電池(Lithium-ion Battery)及鋰高分子電池(Lithium Polymer Battery)兩大類，所使用的原材料主要為：正極鋰合金化合物、電解液、負(fù)極碳材或金屬化合物、隔離膜及罐體等組成，在正負(fù)極之間以隔離膜將正負(fù)極隔開來(lái)避免短路與過(guò)熱爆炸，液體有機(jī)電解液則負(fù)責(zé)離子電荷的傳導(dǎo)工作。由于其中的正極材料不僅作為電極材料參與電池的化學(xué)反應(yīng)，并且是鋰離子的主要來(lái)源，對(duì)提高鋰電池效能的電容量密度和成本結(jié)構(gòu)影響最大，故在各項(xiàng)材料中屬于最為關(guān)鍵的一種，也成為全球各大廠商致力開發(fā)研究的重點(diǎn)。
2010-04-21
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適用在極端惡劣環(huán)境下的新款薄膜貼片電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網(wǎng)絡(luò)。
2010-04-19
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Power Integrations推出可對(duì)X電容自動(dòng)進(jìn)行放電的雙端子IC
用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號(hào)： POWI ）近日宣布推出創(chuàng)新的雙端子 CAPZero 系列IC，該IC可對(duì)X電容自動(dòng)進(jìn)行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項(xiàng)安全標(biāo)準(zhǔn)。
2010-04-19
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IRF6706S2PbF/IRF6798MPbF ：IR推出新型25V DirectFET 芯片組
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
2010-04-19
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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