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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置!
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí),主要品質(zhì)因數(shù)(FOM)包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型,需要考慮諸多因素。例如,增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本,但會(huì)增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù),因此與MOSFET和IGBT相比,GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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SiC吸引力為何如此的大?在電力電子上又有哪些應(yīng)用?
據(jù)預(yù)測(cè),采用 SiC 的功率模塊將進(jìn)入諸如可再生能源、UPS 電源、驅(qū)動(dòng)器和汽車等應(yīng)用。風(fēng)電和牽引應(yīng)用可能會(huì)隨之而來(lái)。 到 2021 年,SiC 功率器件市場(chǎng)總額預(yù)計(jì)將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場(chǎng),如太陽(yáng)能,SiC 器件已投入運(yùn)行,盡管事實(shí)上這些模塊的價(jià)格仍然比常規(guī)硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力,即使價(jià)格更高也心甘情愿地被接受?
2020-07-30
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)和丹佛斯宣布,公司將為丹佛斯硅動(dòng)力(Danfoss Silicon Power)供應(yīng)大功率IGBT和二極管,應(yīng)用于快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車市場(chǎng)的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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如何正確使用功率器件以滿足工業(yè)電源要求
在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費(fèi)類和大眾市場(chǎng)設(shè)計(jì)迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對(duì)更高,對(duì)熱應(yīng)力和電應(yīng)力的穩(wěn)健性有額外要求,對(duì)活動(dòng)和待機(jī)模式有嚴(yán)格的監(jiān)管規(guī)定,還必須監(jiān)控當(dāng)前工作狀態(tài)以形成反饋回路并進(jìn)行故障檢測(cè)。
2020-06-10
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固態(tài)繼電器和固態(tài)調(diào)壓器的區(qū)別
固態(tài)繼電器是由微電子電路,分立電子器件,電力電子功率器件組成的無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。用隔離器件實(shí)現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。固態(tài)繼電器的輸入端用微小的控制信號(hào),達(dá)到直接驅(qū)動(dòng)大電流負(fù)載。
2020-06-09
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效率媲美氮化鎵的超級(jí)硅MOSFET
半導(dǎo)體功率器件在電力電子行業(yè)有著非常廣泛的應(yīng)用,特別是近幾年來(lái),隨著社會(huì)電子產(chǎn)業(yè)化及萬(wàn)物互聯(lián)的應(yīng)用需求,更進(jìn)一步加速了電子化水平的進(jìn)程;也對(duì)電力電子系統(tǒng)提出了更高的要求和挑戰(zhàn),如:高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長(zhǎng)壽命等方面。
2020-04-23
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射頻大功率器件TRL校準(zhǔn)件的設(shè)計(jì)與制作
以LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)為代表的射頻大功率器件已經(jīng)在民用通信市場(chǎng)以其優(yōu)異的性能和低廉的價(jià)格而得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,對(duì)于這種射頻大功率器件的器件水平和能力評(píng)估也越來(lái)越受到關(guān)注。
2020-04-20
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致工程師系列之二:功率器件的標(biāo)定及選擇
對(duì)市場(chǎng)新推出的低功耗IC 及功率器件特性無(wú)法準(zhǔn)確把握?是否真正在自己的電源設(shè)計(jì)中發(fā)揮最大的作用,缺少一種簡(jiǎn)單經(jīng)濟(jì)的評(píng)價(jià)方法。對(duì)于電源產(chǎn)品設(shè)計(jì),大功率開關(guān)管的選擇是非常關(guān)鍵也是非常困難的。
2020-03-10
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一文秒懂功率器件,從小白變大神的進(jìn)階之路
功率器件,也被稱為電力電子器件,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導(dǎo)體器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面,因此得名“電力電子器件”。
2020-02-25
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談?wù)劤Y(jié)功率半導(dǎo)體器件
超結(jié)功率半導(dǎo)體器件是一類具有超結(jié)耐壓層的重要器件,超結(jié)將PN結(jié)引入到常規(guī)“電阻型”耐壓層中,使之質(zhì)變?yōu)椤敖Y(jié)型耐壓層”,這種質(zhì)變突破傳統(tǒng)功率器件比導(dǎo)通電阻和耐壓之間的Ron,sp ∝VB2.5“硅極限”關(guān)系,使之降低到Ron,sp ∝VB1.32,甚至 Ron,sp ∝VB1.03,超結(jié)器件也因此被譽(yù)為功率半導(dǎo)體器件的“里程碑”。從耐壓層角度回顧功率半導(dǎo)體40年發(fā)展的3個(gè)里程碑,綜述了超結(jié)的發(fā)明、概念與機(jī)理、技術(shù)與新結(jié)構(gòu),并總結(jié)超結(jié)發(fā)展歷程與趨勢(shì)。
2020-02-19
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降低開關(guān)電源輸出 “紋波與噪聲” 10大招!
紋波主要在五個(gè)方面:輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。
2020-02-11
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一文解讀碳化硅功率器件的特點(diǎn)
功率半導(dǎo)體器件作為功率變換系統(tǒng)的核心器件,目前應(yīng)用最多的仍舊是 IGBT,在很多時(shí)候還需要搭配合適的反向并聯(lián)二極管。
2020-01-08
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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