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電源中的分壓器
在電源設計中，可以手動設置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開關和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過分壓器來實現(xiàn)這一點的。兩個電阻值的比率必須合適才能設置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個分壓器。
2024-10-27
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低功耗藍牙賦能的太陽鏡為摩托車手提供免分心導航體驗
技術公司Blucap推出了一副可用作摩托車導航平視顯示器(HUD)的太陽鏡。輕巧的 “Blucap Moto ”太陽鏡集成了Nordic Semiconductor公司的nRF52840 SoC，為太陽鏡和騎手的智能手機以及車把上的遙控配件提供低功耗藍牙無線連接。遙控器采用 Nordic 的 nRF52810 SoC 實現(xiàn)無線連接。
2024-10-27
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三極管電路輸入電壓阻抗
利用三極管，?搭建單管共射反向放大器，?放大器的增益與多個因素有關系，也和輸入阻抗成反比。如何來測量單管運放的輸入阻抗呢？ 下面在 LTspice中通過仿真進行測量。
2024-10-27
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貿澤電子為電子設計工程師提供先進的醫(yī)療技術資源和產(chǎn)品
貿澤電子 (Mouser Electronics) 推出內容動態(tài)更新的醫(yī)療資源中心，探索改變醫(yī)療保健產(chǎn)業(yè)并且拯救生命的技術。隨著數(shù)字化轉型的蓬勃發(fā)展，醫(yī)療保健系統(tǒng)突飛猛進，實現(xiàn)了更快、更準確的診斷，大幅縮短了等待時間，并且還采用了各種先進的數(shù)字療法。人工智能 (AI) 的分析能力正在重新定義患者護理工作，提供前所未有的深入健康數(shù)據(jù)，同時改變慢性病和無法治愈的疾病的治療方法。
2024-10-26
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價帶頂部和導帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
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第7講：SiC單晶襯底加工技術
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來新出現(xiàn)的晶圓制備方法。
2024-10-23
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用Python自動化雙脈沖測試
電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統(tǒng)，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是寬禁帶FET的測試，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。
2024-10-23
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兆易創(chuàng)新GD32F30x STL軟件測試庫獲得德國萊茵TüV IEC 61508功能安全認證
業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，其GD32F30x STL軟件測試庫獲得了德國萊茵TüV（以下簡稱“TüV萊茵”）頒發(fā)的IEC 61508 SC3（SIL 2/SIL 3）功能安全認證證書，這也是繼GD32H7 STL軟件測試庫之后再次獲得的此類認證，這意味著兆易創(chuàng)新在功能安全領域的布局已全面覆蓋了Arm? Cortex?-M7內核高性能MCU和Arm? Cortex?-M4內核主流型MCU的軟件測試庫，將為用戶在工業(yè)領域的應用提供更豐富的產(chǎn)品選擇。
2024-10-18
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芯科科技第三代無線開發(fā)平臺引領物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展
致力于以安全、智能無線連接技術，建立更互聯(lián)世界的全球領導廠商Silicon Labs（亦稱“芯科科技”），日前在首屆北美嵌入式世界展覽會（Embedded World North America）上發(fā)表了開幕主題演講，公司首席執(zhí)行官Matt Johnson和首席技術官Daniel Cooley探討了人工智能（AI）如何推動物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領域的變革，同時詳細介紹了芯科科技不斷發(fā)展的第二代無線開發(fā)平臺所取得的持續(xù)成功以及即將推出的第三代無線開發(fā)平臺。
2024-10-18
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MSO 4B 示波器為工程師帶來更多臺式功率分析工具
持續(xù)測量 AC-DC 和 DC-DC 轉換器的性能可能是一項極具挑戰(zhàn)性的任務。隨著設計師努力從硅基電源轉換器過渡到碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體，這些挑戰(zhàn)變得尤為棘手。電機驅動器等三相系統(tǒng)的設計師面臨更多復雜問題。
2024-10-18
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第6講：SiC單晶生長技術
高質量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導體器件的關鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點。
2024-10-18
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意法半導體推出STM32微處理器專用高集成度電源管理芯片
意法半導體 STM32MP2 微處理器配套電源管理芯片STPMIC25 現(xiàn)已上市。新產(chǎn)品在一個便捷封裝內配備 16 個輸出通道，可為MPU的所有電源軌以及系統(tǒng)外設供電，完成硬件設計僅需要少量的外部濾波和穩(wěn)定功能組件。評估板STEVAL-PMIC25V1現(xiàn)已上市，開發(fā)者可立即開始開發(fā)應用。
2024-10-18
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