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通過功率MOSFET的頂面溫度估算結(jié)點溫度
通常,MOSFET數(shù)據(jù)手冊中提供的結(jié)點溫度數(shù)據(jù)只限于結(jié)到引腳和結(jié)到環(huán)境之間的熱阻。雖然可根據(jù)定制條件使用一些工具來實現(xiàn)更精確的熱仿真,但有時只需要時間來運行仿真就可以了。
2009-07-09
功率MOSFET MOSFET 結(jié)點溫度
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杜邦與美能源部合作投資900萬美元太陽能研究項目
杜邦公司日前宣布,正與美國能源部合作一個投資900萬美元的太陽能研究項目,并計劃將這個耐用的、輕質(zhì)的、高效的、柔韌的薄膜光電模塊產(chǎn)品用于更廣泛的商業(yè)用途。
2009-07-09
薄膜光電模塊 太陽能模塊 超薄保護膜
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未來電源發(fā)展的架構(gòu)
近年電子及數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展及分布式供電系統(tǒng)的推廣,DC-DC轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用越來越廣,新的微處理器、記憶體、DSP及ASIC都趨向要求低電壓、大電流供電。面對新世代的電子器件和負載,電源業(yè)要面對重大的挑戰(zhàn),產(chǎn)品除了能在低電壓輸出大電流外,還要做到體積小、重量輕、動態(tài)反應(yīng)快,噪聲小和價錢相宜。這...
2009-07-09
CPA DPA
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熱插拔電源模塊的應(yīng)用與安全控制
本文將介紹采用具有熱插拔功能的電源模塊組成48V分布式電源結(jié)構(gòu)時應(yīng)考慮的設(shè)計問題與用熱插拔控制器電路解決多個電路板或刀片刀片熱插拔運行中的安會問題等二個方面的內(nèi)容。
2009-07-09
熱插拔 刀片構(gòu)建 IAM MOSFET
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開關(guān)變壓器第六講 導(dǎo)磁率的測量計算
在測試變壓器鐵芯導(dǎo)磁率的時候,一般都是通過測試變壓器線圈電感量的方法來測試變壓器鐵芯的導(dǎo)磁率;這種測試方法實際上就是測試電感線圈的交流阻抗;然而用來代表介質(zhì)屬性的導(dǎo)磁率并不是一個常數(shù),而是一個非線性函數(shù),它不但與介質(zhì)以及磁場強度有關(guān),而且與溫度還有關(guān)。導(dǎo)磁率所定義的并不是一個簡...
2009-07-08
開關(guān)變壓器 導(dǎo)磁率
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200W LED照明系統(tǒng)的電源設(shè)計方案
飛兆200W LED照明電源解決方案主要由基于FAN6961電壓模式PFC控制器的高功率因數(shù)預(yù)穩(wěn)壓器和基于諧振LLC拓撲的隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器構(gòu)成,輸入電壓范圍可從90VRMS到265VRMB,可產(chǎn)生六路輸出,每路最大輸出功率為0.7A/48V。
2009-07-07
200W LED照明 電源設(shè)計方案
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電池爭霸戰(zhàn) 日本受到中韓猛烈夾擊
二次電池市場戰(zhàn)云密布,中日韓暗中角力。在二次電池市場大頭的鋰離子電池中,中日韓三國在世界市場的占有率高達96%,三國間競爭十分激烈。
2009-07-07
二次電池鋰離子電池
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ZXMC10A816:Diodes推出新型雙MOSFET組合式器件
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封裝,包含一對互補100V增強式MOSFET,性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路,應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應(yīng)用。
2009-07-07
ZXMC10A816 增強式MOSFET N通道 P通道
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手機閃光燈驅(qū)動方案
手機Flash LED驅(qū)動方案的基本要求就是體積小、效率高。Sipex公司一系列的電流型Flash LED驅(qū)動器件,外圍元件少,可以提供極小面積的整體解決方案,同時主要采用DFN這種熱性能良好的封裝,非常適合手機這種空間極為有限的應(yīng)用場合。
2009-07-07
Flash LED SP7614A線性控制 SP7619A
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