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創(chuàng)新的隔離式ADC架構(gòu)支持利用分流電阻進(jìn)行三相電能計(jì)量
傳統(tǒng)三相電表使用電流互感器(CT)檢測相電流和零線電流。CT的優(yōu)勢之一是能夠在數(shù)百伏的電力線與電表地(通常連接到零線)之間提供固有的電隔離。CT可以實(shí)現(xiàn)良好的線性度；通過調(diào)整匝數(shù)比和負(fù)載電阻，可以靈活地測量各種類型的電流。
2020-08-11
隔離式 ADC架構(gòu) 分流電阻 三相電能計(jì)量
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能量收集領(lǐng)域電解電容器和超級電容器的最新進(jìn)展
針對能量收集應(yīng)用開發(fā)的電容器使各種類型和尺寸的設(shè)備都得到改進(jìn)，其中包括從直接供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備到并網(wǎng)發(fā)電機(jī)等領(lǐng)域
2020-08-11
能量收集 電解電容器 超級電容器 最新進(jìn)展
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芯片級封裝有助于便攜式醫(yī)療設(shè)備減小尺寸并減輕重量
借助晶圓級芯片級封裝，介入性檢測、醫(yī)學(xué)植入體、一次性監(jiān)護(hù)儀等便攜式醫(yī)療設(shè)備的設(shè)計(jì)師可以減小尺寸、降低功耗需求。
2020-08-10
芯片級封裝 便攜式 醫(yī)療設(shè)備 減小尺寸
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門極驅(qū)動器方案–––即插即用快速評估和測試
電力電子在當(dāng)今世界無處不在：半導(dǎo)體的隱藏功能，可實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用，從家電和消費(fèi)品到數(shù)據(jù)處理和無線網(wǎng)絡(luò)，再到日趨電子化的汽車。電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換電力，從而使更多的電能流向最終應(yīng)用。電源轉(zhuǎn)換的主要動力是開關(guān)：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導(dǎo)...
2020-08-10
門極驅(qū)動器 方案 功率MOSFET IGBT
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電動汽車空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗，有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化，是電動壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
電動汽車 空調(diào) 關(guān)鍵技術(shù) IGBT
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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅(qū)動電機(jī)功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進(jìn)行非鉗位感性負(fù)載...
2020-08-10
SiC MOSFET 應(yīng)用技術(shù) 雪崩 魯棒性
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探索電源創(chuàng)新，貿(mào)澤與你大咖說首期直播即將上線
2020年8月7日－專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)宣布即將推出“貿(mào)澤與你大咖說”系列直播欄目。此檔節(jié)目將聚焦最新產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，每一期特邀來自行業(yè)技術(shù)大咖與知名原廠專家以圓桌探討的形式在線解讀行業(yè)應(yīng)用趨勢與創(chuàng)新解決方案。首期直播將于8月15日周六的...
2020-08-07
電源創(chuàng)新 貿(mào)澤 直播
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緊抓需求，強(qiáng)勢突圍！第21屆中國國際機(jī)電產(chǎn)品博覽會將于11月在武漢啟幕！
作為國務(wù)院批準(zhǔn)的國家三大機(jī)電展之一，第21屆中國國際機(jī)電產(chǎn)品博覽會（簡稱：機(jī)博會）將于2020年11月17-20日在武漢國際博覽中心盛大開幕，參觀預(yù)登記入口現(xiàn)已開啟！
2020-08-07
機(jī)電產(chǎn)品 工業(yè)自動化
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動配置！
在設(shè)計(jì)開關(guān)模式電源時(shí)，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個(gè)FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復(fù)，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著...
2020-08-07
GaN器件 開關(guān)模式 降低損耗
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