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鉭電容技術(shù)全景解析：從納米級介質(zhì)到AI服務(wù)器供電革命
鉭電容以五氧化二鉭（Ta?O?）介質(zhì)層為核心，通過高純度鉭粉燒結(jié)形成多孔陽極基體，經(jīng)電化學(xué)氧化生成僅0.5-1nm的絕緣介質(zhì)層，再覆蓋二氧化錳或聚合物陰極構(gòu)成電荷存儲體系16。其介電常數(shù)達(dá)27，遠(yuǎn)超鋁電解電容的8-10，賦予其超高容量密度（200μF/mm3）、低ESR（最低0.05Ω）及寬溫穩(wěn)定性（-55℃~125℃容...
2025-07-04
鉭電容 選型指南 鉭電容與MLCC區(qū)別 聚合物鉭電容 車規(guī)級鉭電容 國產(chǎn)鉭電容品牌 高密度電路電容設(shè)計(jì)
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功率電感器核心技術(shù)解析：原理、選型策略與全球品牌競爭力圖譜
功率電感器作為電力電子系統(tǒng)的核心無源元件，通過導(dǎo)體繞制磁芯構(gòu)成閉合回路，在電流通過時(shí)儲存磁能并抑制電流突變。其基礎(chǔ)原理遵循法拉第電磁感應(yīng)定律：當(dāng)電流變化時(shí)，磁通量的改變將產(chǎn)生自感電動勢，阻礙電流變化，從而平滑輸出電流、濾除高頻噪聲并提升系統(tǒng)效率16。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，功率電感器...
2025-07-04
功率電感器 磁芯材料 DC-DC轉(zhuǎn)換器
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溫漂±5ppm的硬核科技：車規(guī)薄膜電阻在衛(wèi)星與6G中的關(guān)鍵作用
隨著汽車?yán)走_(dá)向79GHz演進(jìn)、低軌衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)加速部署、6G微基站啟動原型驗(yàn)證，車規(guī)薄膜電阻正突破傳統(tǒng)應(yīng)用邊界，成為高頻高可靠電子系統(tǒng)的隱形守護(hù)者。
2025-07-03
車規(guī)薄膜電阻 AEC-Q200認(rèn)證 毫米波雷達(dá)信號鏈 低軌衛(wèi)星載荷 6G微基站 高精度電阻 抗干擾電阻
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重磅公告！意法半導(dǎo)體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會議時(shí)間確定
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開盤前公布2025年第二季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
2025-07-02
意法半導(dǎo)體 財(cái)報(bào) 電話會議時(shí)間
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超級電容技術(shù)全景解析：從物理原理到選型實(shí)踐，解鎖高功率儲能新紀(jì)元
超級電容器（又稱雙電層電容器，EDLC）是一種通過電極與電解液界面形成的雙電層效應(yīng)存儲電能的新型儲能器件。與傳統(tǒng)電容器不同，超級電容利用多孔碳電極表面形成的納米級雙電層結(jié)構(gòu)（ Helmholtz層），在電極/電解液界面實(shí)現(xiàn)電荷分離存儲能量。這種物理儲能機(jī)制使其無需化學(xué)反應(yīng)即可實(shí)現(xiàn)能量的快速存...
2025-07-02
超級電容 雙電層電容器
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MHz級電流測量突破：分流電阻電感補(bǔ)償技術(shù)解密
在第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）驅(qū)動的ns級開關(guān)場景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實(shí)測表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態(tài)下產(chǎn)生＞38%電壓過沖，導(dǎo)致1MHz頻點(diǎn)測量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測試數(shù)據(jù)），嚴(yán)重制約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±...
2025-07-01
分流電阻 寄生電感補(bǔ)償 高頻電流測量技術(shù) VNA頻響 RC濾波器設(shè)計(jì) 功率器件 電流檢測 開關(guān)電源
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告別電壓應(yīng)力難題：有源鉗位助力PSFB效率突破
相移全橋（PSFB）轉(zhuǎn)換器因其能在初級側(cè)開關(guān)管上實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)（降低開關(guān)損耗），成為高功率應(yīng)用（如服務(wù)器電源、工業(yè)電源、通信電源）的主流拓?fù)?。然而，傳統(tǒng)的PSFB存在一個(gè)顯著痛點(diǎn)：變壓器漏感（Lr）與輸出整流器（特別是同步整流管MOSFET）的寄生電容（Coss）諧振，會導(dǎo)致次級側(cè)產(chǎn)生嚴(yán)重的電壓振鈴...
2025-07-01
PSFB有源鉗位設(shè)計(jì) 整流器電壓應(yīng)力優(yōu)化 高功率轉(zhuǎn)換器效率 同步整流MOSFET選型 無損緩沖技術(shù) 相移全橋控制策略
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9.9元搶500元超值觀展禮包！深圳智能工業(yè)展早鳥福利限時(shí)開搶
“WAIE2025(第六屆)全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)大會暨智能工業(yè)展(簡稱:WAIE全數(shù)會智能工業(yè)展)”將于2025年7月30至8月1日在深圳福田會展中心舉行。作為全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)具有規(guī)模、專業(yè)性、影響性和代表性的行業(yè)盛會，本屆展會由OFweek維科網(wǎng)主辦，以“聚焦數(shù)字經(jīng)濟(jì) 賦能智能工業(yè)發(fā)展”為主題，為全球智能工業(yè)數(shù)字化...
2025-06-30
WAIE2025智能工業(yè)展 深圳數(shù)字經(jīng)濟(jì)大會 工業(yè)芯片展覽 機(jī)器人智能制造峰會 9.9元觀展禮包 深圳福田會展中心
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攻克28G PAM4抖動難題！差分輸出VCXO如何重塑光通信時(shí)鐘架構(gòu)
在400G/800G光模塊的56Gbaud PAM4調(diào)制系統(tǒng)中，時(shí)鐘抖動每增加0.1ps RMS，誤碼率將飆升300%。傳統(tǒng)單端CMOS時(shí)鐘源因共模噪聲干擾，難以滿足高速SerDes對相位穩(wěn)定性的嚴(yán)苛需求。差分輸出VCXO（壓控晶體振蕩器）通過對稱差分信號（LVDS/HCSL） 實(shí)現(xiàn)共模噪聲抑制，結(jié)合±50ppm頻率微調(diào)能力，將相位抖動壓...
2025-06-27
差分輸出VCXO 低抖動時(shí)鐘源 光通信時(shí)鐘同步 相位噪聲優(yōu)化 SerDes時(shí)鐘解決方案 LVDS振蕩器
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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