【導(dǎo)讀】三星電子傳來(lái)關(guān)鍵突破信號(hào)。據(jù)韓國(guó)媒體TheElec報(bào)道，其第七代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM4E已正式邁入基礎(chǔ)芯片后端設(shè)計(jì)階段，這一里程碑式進(jìn)展標(biāo)志著整體研發(fā)進(jìn)程過(guò)半，量產(chǎn)時(shí)間表鎖定2027年。作為HBM模塊的“控制中樞”，基礎(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)進(jìn)程直接決定產(chǎn)品性能上限，而三星此次不僅劍指3.25 TB/s總帶寬、兩倍于HBM3E的能效等硬核指標(biāo)，更以4納米工藝、雙軌研發(fā)策略構(gòu)建競(jìng)爭(zhēng)壁壘，為全球AI基礎(chǔ)設(shè)施的存儲(chǔ)效率革命注入新動(dòng)能，也讓這場(chǎng)由三星、SK海力士、美光主導(dǎo)的技術(shù)競(jìng)賽進(jìn)入更關(guān)鍵的攻堅(jiān)期。

據(jù)悉，HBM4E的基礎(chǔ)芯片目前已完成寄存器傳輸級(jí)（RTL）邏輯設(shè)計(jì)，正進(jìn)行物理電路的布局與布線（即后端設(shè)計(jì)）。這一階段通常占芯片設(shè)計(jì)總周期的60%至70%，完成后將進(jìn)入流片（tape-out）準(zhǔn)備，由代工廠啟動(dòng)試產(chǎn)。

作為HBM模塊的“控制中樞”，基礎(chǔ)芯片不僅負(fù)責(zé)管理數(shù)據(jù)讀寫速度，還承擔(dān)對(duì)上方堆疊DRAM的錯(cuò)誤校正（ECC），直接決定整顆HBM的性能、穩(wěn)定性與能效。

根據(jù)此前的信息，三星為HBM4E設(shè)定了技術(shù)指標(biāo)：總帶寬目標(biāo)高達(dá)3.25 TB/s，較當(dāng)前主流的HBM3E提升約2.5倍；每針腳數(shù)據(jù)速率突破13 Gbps；同時(shí)維持2,048個(gè)I/O接口以確保兼容性。同時(shí)，其能效目標(biāo)是HBM3E的兩倍以上。這對(duì)功耗敏感的數(shù)據(jù)中心和AI訓(xùn)練集群至關(guān)重要。

為加速商業(yè)化進(jìn)程，三星已向供應(yīng)鏈發(fā)出明確信號(hào)：要求供應(yīng)商在2026年3月前提交配套材料與設(shè)備供應(yīng)計(jì)劃。公司內(nèi)部更制定了覆蓋HBM4、HBM4E到HBM5（預(yù)計(jì)2029年推出）的完整路線圖，并同步運(yùn)營(yíng)兩個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)——一個(gè)專注標(biāo)準(zhǔn)品，另一個(gè)專攻定制方案，形成“雙軌并行”策略。

TheElec稱，三星計(jì)劃在其自有的4納米FinFET工藝節(jié)點(diǎn)上制造HBM4E的基礎(chǔ)芯片，并由存儲(chǔ)器接口專家林大賢（Daihyun Lim）領(lǐng)銜I/O設(shè)計(jì)。林大賢曾任職IBM與GlobalFoundries，2023年加入三星，其經(jīng)驗(yàn)被視為攻克高速信號(hào)完整性難題的關(guān)鍵。

總結(jié)

三星HBM4E進(jìn)入基礎(chǔ)芯片后端設(shè)計(jì)階段，既是其技術(shù)路線圖的關(guān)鍵跨越，也印證了全球HBM產(chǎn)業(yè)向高帶寬、優(yōu)能效迭代的趨勢(shì)。依托4納米FinFET工藝、專家團(tuán)隊(duì)攻堅(jiān)及全鏈條布局，三星全力搶占AI存儲(chǔ)賽道。當(dāng)前HBM市場(chǎng)短缺將持續(xù)至2028年，AI大模型需求激增背景下，HBM4E進(jìn)展深刻影響全球AI服務(wù)器供應(yīng)鏈格局。隨著2026年供應(yīng)鏈配套落地及流片試產(chǎn)推進(jìn)，三星能否憑此產(chǎn)品重塑競(jìng)爭(zhēng)格局、為2027年量產(chǎn)及HBM5研發(fā)鋪路，備受行業(yè)關(guān)注，其技術(shù)突破也將助力AI基礎(chǔ)設(shè)施向高效低耗升級(jí)。