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為多路電源提供反偏保護(hù)的過(guò)壓保護(hù)器
系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要采用優(yōu)異的功能電路,更需要為大功率電子產(chǎn)品提供有效保護(hù)。本文介紹一種帶有反偏保護(hù)的過(guò)壓保護(hù)器,采用反向偏置電路保護(hù)多電源供電便攜設(shè)備,其內(nèi)部背靠背FET和低RON優(yōu)勢(shì)便于通過(guò)USB和/或無(wú)線充電塢站為便攜設(shè)備充電,無(wú)需擔(dān)心損壞設(shè)備。
2012-05-17
Maxim 過(guò)壓保護(hù) MAX14606 MAX14607
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好利來(lái)電子保險(xiǎn)絲應(yīng)用指南
為便于用戶針對(duì)所需保護(hù)的元件、電路或設(shè)備選用合適的保險(xiǎn)絲管,特制定本指南。
2012-05-17
好利來(lái)電子 保險(xiǎn)絲
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好利來(lái)電子保險(xiǎn)絲應(yīng)用指南
為便于用戶針對(duì)所需保護(hù)的元件、電路或設(shè)備選用合適的保險(xiǎn)絲管,特制定本指南。
2012-05-17
好利來(lái)電子 保險(xiǎn)絲
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STM32F0:ST推出基于Cortex-M0內(nèi)核的超低成本及功耗32位MCU
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商、世界領(lǐng)先的微控制器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)擴(kuò)大已取得巨大成功的經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的包含300多款產(chǎn)品的 STM32微控制器產(chǎn)品陣容,推出全新的STM32F0系列32位微控制器。新產(chǎn)品基于超低功耗的 ARM Cortex-M0處理器內(nèi)核,整合增強(qiáng)的...
2012-05-16
STM32F0 STM32 32位微控制器 Cortex-M0 意法半導(dǎo)體
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羅姆的智能手機(jī)新創(chuàng)意:應(yīng)用“軟骨傳導(dǎo)”通話
——通過(guò)手機(jī)一角的振動(dòng),在噪音環(huán)境中舒暢通話想要在競(jìng)爭(zhēng)激烈的智能手機(jī)市場(chǎng)快速崛起,有一個(gè)秘訣是率先采用業(yè)界的創(chuàng)新技術(shù),近日羅姆研發(fā)出應(yīng)用了“軟骨傳導(dǎo)”技術(shù)的智能手機(jī),通過(guò)手機(jī)一角的振動(dòng),在噪音環(huán)境下實(shí)現(xiàn)舒暢通話。不想錯(cuò)過(guò)智能機(jī)新創(chuàng)意帶來(lái)的好機(jī)會(huì)?下文將為你打開(kāi)“軟骨傳導(dǎo)”技術(shù)的奧秘之門。
2012-05-16
軟骨傳導(dǎo) 智能手機(jī) 軟骨傳導(dǎo)技術(shù)
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NXP高效能低VF肖特基整流器鎖定行動(dòng)裝置
恩智浦(NXP)推出采用1.0毫米(mm)×0.6毫米×0.37毫米超小扁平SMD塑膠封裝DFN1006D-2(SOD882D)的肖特基整流器。該款20伏特(V)、0.5安培(A)PMEG2005BELD蕭特基勢(shì)壘整流器,是目前市場(chǎng)上尺寸最小的產(chǎn)品,在0.5安培正向電流下的最大正向電壓為390毫伏特(mV),可顯著提升電池壽命和性能。
2012-05-16
NXP 肖特基 整流器
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平板多樣化 iPad尺寸只會(huì)更小
2012年的夏季注定是有史以來(lái)平板電腦最大規(guī)模集中上市的季節(jié)。據(jù)信,未來(lái)4個(gè)月包括蘋果在內(nèi)的所有平板電腦廠商都將公布或發(fā)布自己的新款平板電腦。蘋果可能會(huì)推出更小尺寸的iPad,而亞馬遜則可能會(huì)推出更大尺寸的產(chǎn)品。谷歌將在6月底發(fā)布一款廉價(jià)平板電腦。
2012-05-16
平板 iPad
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智能終端和觸控技術(shù)的頂尖盛會(huì)于5月25-26日深圳舉辦
功能性手機(jī)正在逐步被智能觸摸屏手機(jī)取代;在全球應(yīng)用和體驗(yàn)式消費(fèi)驅(qū)動(dòng)下,智能手機(jī)和平板電腦出現(xiàn)快速增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2012年全球智能手機(jī)將近4億部,中國(guó)市場(chǎng)超過(guò)1.5億部。產(chǎn)品轉(zhuǎn)型引爆了觸摸屏市場(chǎng)。
2012-05-15
智能終端 觸控技術(shù)
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飛兆最新MOSFET采用微間距WL-CSP封裝 占版面積僅0.64mm2
飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench薄型WL-CSP MOSFET器件。這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝,最大限度地減小線路板空間和RDS(ON),并在微小外形尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)出色的散熱特性,可幫助便攜設(shè)備開(kāi)發(fā)人員應(yīng)對(duì)空間和散熱的挑戰(zhàn)。
2012-05-15
WL-CSP PowerTrench MOSFET FDZ661PZ FDZ663P
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