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安防監(jiān)控

東京農(nóng)工大學開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復合而成的鋰離子電容器

東京農(nóng)工大學研究生院于2009年3月宣布，開發(fā)出了采用碳納米纖維（CNF）與LTO復合而成的負極的鋰離子電容器，與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比，實現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示，將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。

2010-04-19

東京大學單層碳納米管鈦酸鋰鋰離子電容器

IR上市導通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET

據(jù)稱，該功率MOSFET的導通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM（figure of merit，優(yōu)值）為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標準50nC。最大柵源間電壓為±20V，最大漏電流為37A。批量購買1萬個時的單價為1.50美元。

2010-04-19

IR 導通電阻耐壓功率MOSFET

2011年電路保護市場將持續(xù)增長

2011年，市場預測預測表明：表面貼裝式壓敏電阻將在手機和汽車電子市場持續(xù)成長；聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過流保護如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護和電池的二次防護方面得到發(fā)展；NTC熱敏電阻的市場重心將偏向汽車和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)（其價值在于組件的生產(chǎn)，而不是熱敏電阻本身）；氣體放電管由于...

2010-04-16

過流保護過壓保護電路保護

全球半導體設備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)

國際研究暨顧問機構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計結(jié)果，2009年全球半導體設備資本設備支出為166億美元，較2008年衰退45.8%。在主要設備部門中，受到削減資本支出的沖擊，晶圓廠設備支出大幅下滑47%，后端設備(BEE)支出亦減少40%。

2010-04-16

半導體設備資本支出衰退潮扭轉(zhuǎn)

多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩

多晶硅產(chǎn)業(yè)將在2011年面臨大幅震蕩。此結(jié)論來源于Bernreuter信息研究公司（以下簡稱Bernreuter研究）今日發(fā)布的最新研究報告《太陽能多晶硅的生產(chǎn)狀況》。多晶硅被視為半導體和光伏產(chǎn)業(yè)的供給原料，但在該市場于2009年轉(zhuǎn)至供過于求的狀態(tài)之前，多晶硅一直處于短缺。

2010-04-16

多晶硅面臨大幅震蕩 Bernreuter

供貨商節(jié)制擴產(chǎn) 被動組件全年缺貨

被動組件自去年第四季起供應吃緊，廠商即使紛紛拉高產(chǎn)能利用率至滿水位，還是跟不上客戶拉貨的腳步，庫存逐步見底，國巨的成品庫存天數(shù)由上季的23天，到第一季一口氣掉到14天，為歷史最低庫存量。

2010-04-16

供貨商節(jié)制擴產(chǎn) 被動組件缺貨

選擇合適的OVP、OCP元器件應對電路保護設計挑戰(zhàn)

隨著電子系統(tǒng)越來越復雜，對各種電子系統(tǒng)的可靠性要求不斷提高，各種電路保護元器件已經(jīng)成為電子系統(tǒng)中必不可少的組成部分，保護器件廠商也需要緊跟電路設計的趨勢開發(fā)出新型產(chǎn)品應對設計挑戰(zhàn)。

2010-04-16

電路保護過壓過流 SZ2010

TDK開發(fā)出Serial ATAⅡ?qū)腟HG2A系列Half Slim Type SSD

TDK開發(fā)出Serial ATAⅡ?qū)腟HG2A系列Half Slim Type SSD，是世界首次公開壽命監(jiān)控軟件、高速度、高信賴性、長壽命的Half Slim型SATA2 固態(tài)硬盤，日本首次*SLC閃存采用，使用電源保護電路，斷電耐受性達到業(yè)內(nèi)最高水平。

2010-04-16

硬盤壽命監(jiān)控 Half Slim SATA2 固態(tài)硬盤