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硬件加速+安全加密：三合一MCU如何簡(jiǎn)化電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
電機(jī)控制技術(shù)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默革命。隨著工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人和新能源汽車(chē)等領(lǐng)域?qū)﹄姍C(jī)性能要求的不斷提升，傳統(tǒng)通用微控制器已難以滿足高效率、高精度、低延遲的控制需求。新一代專用電機(jī)控制MCU通過(guò)異構(gòu)架構(gòu)、硬件加速算法和集成化開(kāi)發(fā)環(huán)境，正在從根本上重構(gòu)電機(jī)設(shè)計(jì)范式，使復(fù)雜電機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)周期縮...
2025-07-02
電機(jī)控制MCU 無(wú)刷直流電機(jī)控制 嵌入式電機(jī)設(shè)計(jì) 高精度PWM輸出 伺服驅(qū)動(dòng)器方案 電機(jī)控制算法
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全局快門(mén)CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量
在高速視覺(jué)應(yīng)用的競(jìng)技場(chǎng)中，全局快門(mén)CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場(chǎng)景的方案時(shí)，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門(mén)機(jī)制——直接決定了能否無(wú)失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門(mén)在高速環(huán)境下的優(yōu)勢(shì)，并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）...
2025-07-01
安森美 圖像傳感器 全局快門(mén) CMOS CMOS圖像傳感器 高速圖像傳感器
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選對(duì)扼流圈，EMC不再難！關(guān)鍵參數(shù)深度解析
在電子設(shè)備日益精密且電磁環(huán)境日趨復(fù)雜的今天，共模扼流圈（Common Mode Choke，CMC） 作為抑制共模噪聲、確保設(shè)備電磁兼容性（EMC）的關(guān)鍵屏障，其選型正確與否直接關(guān)乎系統(tǒng)穩(wěn)定與合規(guī)認(rèn)證。面對(duì)市場(chǎng)上型號(hào)繁雜的扼流圈，工程師如何撥開(kāi)迷霧，精準(zhǔn)鎖定最適合的那一款？本文提供一套系統(tǒng)、實(shí)用的選...
2025-06-30
共模扼流圈選型 共模扼流圈選擇 共模扼流圈型號(hào) CMC選型 EMI濾波器選型
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3μV噪聲極限！正弦波發(fā)生器電源噪聲凈化的七階降噪術(shù)
當(dāng)10MHz正弦波的電源抑制比（PSRR）下降20dB，輸出信號(hào)總諧波失真（THD）將惡化10倍！高頻開(kāi)關(guān)電源的百mV級(jí)紋波、LDO基準(zhǔn)源的μV級(jí)噪聲，甚至PCB地彈效應(yīng)，都可能在輸出頻譜上產(chǎn)生-60dBc的雜散。本文揭示三類電源噪聲（低頻紋波/高頻開(kāi)關(guān)/地回路干擾）的耦合路徑，并提供從芯片級(jí)到系統(tǒng)級(jí)的七重凈化...
2025-06-30
正弦波發(fā)生器 正弦波電源降噪 LDO選型指南 開(kāi)關(guān)電源濾波 電池供電系統(tǒng) 電源抑制比提升 PCB接地設(shè)計(jì)
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低至0.0003%失真！現(xiàn)代正弦波發(fā)生器如何突破純度極限
在5G通信測(cè)試、醫(yī)療超聲設(shè)備及高精度傳感器校準(zhǔn)領(lǐng)域，正弦波純度直接決定系統(tǒng)性能邊界——當(dāng)總諧波失真（THD）超過(guò)-80dBc時(shí)，5G毫米波EVM指標(biāo)將惡化40%以上。傳統(tǒng)RC振蕩器因溫度漂移與非線性限制，難以突破0.1%失真瓶頸?，F(xiàn)代正弦波發(fā)生器通過(guò)維恩電橋拓?fù)涓镄?、正交?shù)字合成及自適應(yīng)穩(wěn)幅技術(shù)，將THD...
2025-06-27
正弦波發(fā)生器 低失真正弦波發(fā)生器 維恩電橋振蕩器 DDS信號(hào)源 正交振蕩器設(shè)計(jì) THD優(yōu)化技術(shù)
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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開(kāi)關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開(kāi)關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個(gè)器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并聯(lián)技術(shù) 固態(tài)斷路器解決方案 大電流SiC JFET Combo JFET結(jié)構(gòu)
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控制回路仿真入門(mén)：LTspice波特圖分析詳解
在電源設(shè)計(jì)中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過(guò)大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對(duì)負(fù)載變化和輸入電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 電源穩(wěn)定性優(yōu)化 相位裕度 增益帶寬
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測(cè)量、高分辨率數(shù)據(jù)采集等尖端領(lǐng)域，毫伏級(jí)的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環(huán)（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的有效位數(shù)（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無(wú)一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎(chǔ)之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設(shè)計(jì) 射頻電源解決方案 μV級(jí)電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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如何設(shè)計(jì)高性能CCM反激式轉(zhuǎn)換器？中等功率隔離應(yīng)用解析
在當(dāng)今追求高效節(jié)能的電子設(shè)備領(lǐng)域，隔離式DC-DC電源轉(zhuǎn)換器扮演著關(guān)鍵角色。面對(duì)50W至250W的中等功率應(yīng)用需求——從工業(yè)控制模塊、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備到醫(yī)療儀器輔助電源——工程師們亟需兼顧效率、體積與成本的解決方案。連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）反激式轉(zhuǎn)換器憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，正成為這一功率段隔離電源設(shè)計(jì)的首選...
2025-06-23
CCM反激轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 連續(xù)導(dǎo)通模式反激電源 反激電源設(shè)計(jì)指南 隔離電源方案
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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