【導(dǎo)讀】 磁珠專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。在用來(lái)吸收超高頻信號(hào)，像一些RF電路，PLL，振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路如DDR、SDRAM、RAMBUS等中都需要在電源輸入部分加磁珠。那么我們應(yīng)該如何選擇合適的磁珠呢？請(qǐng)耐心往下看。
磁珠是用來(lái)吸收超高頻信號(hào)，象一些RF電路，PLL，振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在電源輸入部分加磁珠，而電感是一種蓄能元件，用在LC振蕩電路，中低頻的濾波電路等，其應(yīng)用頻率范圍很少超過(guò)50MHZ。
磁珠的功能主要是消除存在于傳輸線結(jié)構(gòu)（電路）中的RF噪聲，RF能量是疊加在直流傳輸電平上的交流正弦波成分，直流成分是需要的有用信號(hào)，而射頻RF能量卻是無(wú)用的電磁干擾沿著線路傳輸和輻射（EMI）。要消除這些不需要的信號(hào)能量，使用片式磁珠扮演高頻電阻的角色（衰減器），該器件允許直流信號(hào)通過(guò)，而濾除交流信號(hào)。通常高頻信號(hào)為30MHz以上，然而，低頻信號(hào)也會(huì)受到片式磁珠的影響。
選擇磁珠應(yīng)考慮兩方面：一是電路中噪聲干擾的情況，二是需要通過(guò)的電流大小。要大概了解噪聲的頻率、強(qiáng)度，不同的磁珠的頻率阻抗曲線是不同的，要選擇噪聲中心頻率磁珠阻抗較高的那種。噪聲干擾大的要選阻抗高一點(diǎn)的，但并不是阻抗越高越好，因?yàn)樽杩乖礁逥CR也越高，對(duì)有用信號(hào)的衰減也越大。但一般也沒(méi)有很明確的計(jì)算和選擇的標(biāo)準(zhǔn)，主要看實(shí)際使用的效果，120R-600R之間都很常用。
然后要看通過(guò)電流大小，如果用在電源線部分則要選額定電流較大的型號(hào)，用在信號(hào)線部分則一般額定電流要求不高。另外磁珠一般是阻抗越大額定電流越小。
磁珠的選擇要根據(jù)實(shí)際情況來(lái)進(jìn)行。比如對(duì)于3.3V、300mA電源，要求3.3V不能低于3.0V，那么磁珠的直流電阻DCR就應(yīng)該小于1R，這種情況一般選擇0.5R，防止參數(shù)漂移。對(duì)噪聲的抑止能力來(lái)說(shuō)，如果要求對(duì)于100MHZ的、300mVpp的噪聲，經(jīng)過(guò)磁珠以后達(dá)到50mVpp的水平，假設(shè)負(fù)載為45歐姆，那么就應(yīng)該選225R@100Mhz,DCR<1R的磁珠, 225R又是怎么算出來(lái)的(45ohm/50mV)*250mV=225ohm
首先你要知道你要濾除的噪聲的頻段，然后選一個(gè)在該頻段合適的阻抗（實(shí)際的可以通過(guò)仿真得出大概要多大，仿真模型可以向廠商要），第二步確定該電路通過(guò)的最大電流，電路流過(guò)的電流確定了也意味著你要選多大額定電流的磁珠，接下來(lái)是確定磁珠的DCR（直流阻抗），根據(jù)后一級(jí)電路電壓供電的范圍就能算出允許的磁珠的DCR的范圍。
封裝可以根據(jù)情況選擇。但要注意的是，磁珠的阻抗在你加電壓后和規(guī)格書上的有點(diǎn)差別。
要正確的選擇磁珠，必須注意以下幾點(diǎn)：
1、不需要的信號(hào)的頻率范圍為多少；
2、噪聲源是誰(shuí)；
3、需要多大的噪聲衰減；
