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DigiKey 在 2024 EDS 領(lǐng)導力峰會上斬獲供應(yīng)商授予的多個最高獎項
全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的商業(yè)現(xiàn)貨技術(shù)元件和自動化產(chǎn)品分銷商 DigiKey 日前宣布,在 5 月 21 日至 23 日于拉斯維加斯舉辦的 2024 年 EDS 領(lǐng)導力峰會上,共計獲得了供應(yīng)商合作伙伴授予的 18 項大獎。
2024-06-25
DigiKey EDS 領(lǐng)導力峰會
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注意!這兩種三相電源濾波器的選擇有竅門!
在電力工程中,三相電力系統(tǒng)至少包含三個承載交流電壓的導體,該交變電壓會在三分之一周期時出現(xiàn)偏移(每個相均設(shè)置為相同的頻率和電壓振幅,但各相會偏移120°,從而在電氣循環(huán)期間實現(xiàn)恒定的功率傳輸)。下圖1展示了三相系統(tǒng)在一個周期的時域中瞬時電壓的典型波形。
2024-06-24
三相電源濾波器
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意法半導體發(fā)布高能效智能慣性測量單元,提供工業(yè)產(chǎn)品壽命保證
意法半導體6軸慣性測量單元 (IMU) ISM330BX 集成邊緣 AI 處理器、傳感器擴展模擬集線器和Qvar電荷變化檢測器,并提供產(chǎn)品壽命保證,適用于設(shè)計高能效工業(yè)傳感器和動作跟蹤器。
2024-06-21
意法半導體 智能慣性測量單元 工業(yè)產(chǎn)品
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【測試案例分享】如何選配合適的功率探頭
電機電驅(qū)是新能源汽車的核心部件,其性能和可靠性直接影響汽車的動力和安全。盡管示波器可以以高采樣率去捕獲電壓和電流的波形,但需要進一步計算才能從數(shù)據(jù)中生成關(guān)鍵的功率測量值和其他相關(guān)參數(shù)。今天我們就來聊一聊,如何選配合適的探頭,去進行相關(guān)測試。
2024-06-21
功率探頭
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西部電博會即將舉辦!電子信息成都高新區(qū)專場為企業(yè)深度解析
在高新西區(qū)政務(wù)中心300辦公室,高新區(qū)國際合作商務(wù)局會同電子信息產(chǎn)業(yè)局、西部電博會組委會成功舉辦了“第十二屆中國(西部)電子信息博覽會高新區(qū)重點企業(yè)工作座談會—電子信息企業(yè)專場”。本次座談會集結(jié)了電子信息產(chǎn)業(yè)的翹楚,包括京東方、華鯤振宇、西門子、領(lǐng)目、晶寶時頻京東方、華鯤振宇、西門...
2024-06-21
西部電博會 電子信息
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DigiKey 獲得 ISO 27001 認證,進一步強化了其強大的信息安全體系
全球領(lǐng)先的供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的商業(yè)現(xiàn)貨技術(shù)元件和自動化產(chǎn)品分銷商 DigiKey 今天宣布,已在其強大的數(shù)據(jù)安全體系中新增 ISO 27001 認證。通過這一認證,公司進一步鞏固了其對客戶、供應(yīng)商及合作伙伴信息進行安全、妥善管理的承諾與能力。
2024-06-21
DigiKey ISO 27001認證 信息安全
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LoRaWAN(非蜂窩LPWA)入門 - 基礎(chǔ)篇
LoRaWAN是在具有廣域、遠距離、低速、低耗電量等特點的LPWA(Low Power Wide Area)無線通信中,利用不需要無線局許可證的非授權(quán)頻段(Sub-GHz頻帶)的規(guī)格。LoRaWAN是一種非蜂窩LPWA,由非營利組織LoRa Alliance制定,并經(jīng)國際電信聯(lián)盟[ITU]批準后于2021年12月成為國際標準。
2024-06-20
LoRaWAN 非蜂窩LPWA
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創(chuàng)新存儲如何滿足“既要、又要、還要”的苛刻設(shè)計需求
人工智能大模型的突然爆火,讓發(fā)電這個近200年的傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)意外再次引起關(guān)注:據(jù)業(yè)界數(shù)據(jù)顯示,僅ChatGPT每天就需要消耗超過50萬千瓦時電力,相當于1.7萬個美國家庭的用電量。而隨著生成式AI的廣泛應(yīng)用,預計到2027年,整個人工智能行業(yè)每年將消耗85至134太瓦時(1太瓦時=10億千瓦時)的電力。如此高...
2024-06-20
存儲 人工智能
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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率,并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中,應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件,可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導通損耗,同時具有...
2024-06-20
SiC MOS
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