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“環(huán)抱”晶體管與“三明治”布線
今天，我們將介紹英特爾的兩項(xiàng)突破性技術(shù)：RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)首次成功集成于Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)，也將用于Intel 18A。
2024-09-16
晶體管
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MEMS 麥克風(fēng)中 PDM 和 I2S 數(shù)字輸出接口的比較和選擇
本文將詳細(xì)討論脈沖密度調(diào)制 (PDM) 和集成電路內(nèi)置音頻 (I2S) 兩種數(shù)字接口，簡(jiǎn)介它們的獨(dú)特特性以及在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)的優(yōu)缺點(diǎn)。工程師具體選擇哪一種，將取決于對(duì)兩種技術(shù)的研究，并要了解哪種協(xié)議對(duì)于特定應(yīng)用更適合。
2024-09-15
MEMS 麥克風(fēng) PDM I2S 數(shù)字輸出接口
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基于大數(shù)據(jù)與深度學(xué)習(xí)的穿戴式運(yùn)動(dòng)心率算法
在數(shù)字化與智能化技術(shù)迅猛發(fā)展的背景下，智能手表、智能戒指等穿戴式設(shè)備已悄然改變我們的日常生活，尤其在健康管理和運(yùn)動(dòng)表現(xiàn)優(yōu)化方面取得了顯著的成就。借助這些智能設(shè)備，監(jiān)測(cè)運(yùn)動(dòng)心率成為提升個(gè)人健身和運(yùn)動(dòng)性能的關(guān)鍵手段。
2024-09-15
大數(shù)據(jù) 穿戴式 運(yùn)動(dòng)心率算法
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第5講：SiC的晶體缺陷
SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。
2024-09-12
SiC 晶體缺陷
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如何正確使用二極管
二極管和晶體管都是如此，它們由二極管 P 和 N 材料制成。二極管類別包括兩個(gè)可能對(duì)控制工程師很重要的例子：硅二極管和 LED。
2024-09-12
二極管
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半導(dǎo)體后端工藝 第十一篇（完結(jié)篇）：半導(dǎo)體封裝的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)
本系列文章詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體后端工藝，涵蓋了從不同類型的半導(dǎo)體封裝、封裝工藝及材料等各個(gè)方面。作為本系列的收篇之作，本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)。除了詳細(xì)介紹如何評(píng)估和制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)以外，還將介紹針對(duì)半導(dǎo)體封裝預(yù)期壽命、半導(dǎo)體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機(jī)械可靠性等評(píng)估...
2024-09-12
半導(dǎo)體 后端工藝 封裝
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為什么存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能對(duì)AI工作負(fù)載至關(guān)重要？
數(shù)據(jù)是各種現(xiàn)代企業(yè)的生命線，而數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、訪問(wèn)與管理策略對(duì)企業(yè)的生產(chǎn)力、盈利能力以及競(jìng)爭(zhēng)力會(huì)產(chǎn)生顯著影響。隨著人工智能（AI）的興起，各行各業(yè)都在經(jīng)歷變革，企業(yè)不得不重新思考如何利用數(shù)據(jù)來(lái)加速創(chuàng)新和增長(zhǎng)。然而，AI訓(xùn)練和推理對(duì)數(shù)據(jù)管理和存儲(chǔ)提出了獨(dú)特的挑戰(zhàn)，因?yàn)樗鼈冃枰幚睚嫶蟮臄?shù)...
2024-09-11
存儲(chǔ)系統(tǒng) AI 工作負(fù)載
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邊界工況推動(dòng)下，汽車圖像傳感器的四大發(fā)展方向
隨著自動(dòng)駕駛等級(jí)進(jìn)階，搭載的攝像頭數(shù)量越來(lái)越多性能越來(lái)越高。為幫助自動(dòng)駕駛車輛描繪出一幅幅精準(zhǔn)細(xì)膩的“路況圖”，其幕后英雄圖像傳感器正在嶄露頭角，高分辨率、高動(dòng)態(tài)范圍等技術(shù)方向的推進(jìn)迫在眉睫。
2024-09-11
汽車 圖像傳感器
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開(kāi)關(guān)模式電源問(wèn)題分析及其糾正措施：檢測(cè)電阻器違規(guī)
本文是系列文章中的第二篇，該系列文章將討論常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問(wèn)題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的反饋級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注檢測(cè)電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對(duì)于確保反饋網(wǎng)絡(luò)（負(fù)責(zé)維持輸出電壓）接收來(lái)自電感電流的準(zhǔn)確信號(hào)而言至關(guān)重要。失真的信號(hào)可能會(huì)...
2024-09-10
開(kāi)關(guān)模式 電源 電阻器
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