在功率變換器應用中，寬帶隙（WBG）技術日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中，提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應用優(yōu)勢，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。
2021-01-19
氮化鎵晶體管 柵極驅動電路 PCB
2021年1月18日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 推出了一個全新資源網站，專門用于介紹LoRaWAN?標準及其功能、應用與相關產品。歡迎點擊https://resources.mouser.com/lora，即可訪問這個全新的綜合性網站。
2021-01-18
貿澤電子 LoRaWAN技術 網站
集電結正偏，發(fā)射結反偏，為倒置狀態(tài)；集電結正偏，發(fā)射結正偏，為飽和狀態(tài)；集電結反偏，發(fā)射結反偏，為倒截止態(tài)；集電結反偏，發(fā)射結正偏，為放大狀態(tài)。
2021-01-15
三極管 倒置狀態(tài)
ODI最近對較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
eMMC芯片 MCU 車輛
醫(yī)療保健繼續(xù)朝著自我治療的方向發(fā)展，而不再需要每次去醫(yī)院現(xiàn)場治療。除了幫助減少身體接觸外，新技術還使普通民眾獲得了用于自我監(jiān)測和遠程治療的醫(yī)療保健工具，而這在以前是無法實現(xiàn)的。
2021-01-11
遠程醫(yī)療 應用 半導體技術
2021年，數(shù)據中心將加速部署新興技術。高性能網絡不斷增長的需求，管理效率的提高以及COVID-19疫情的影響等全球重要趨勢都將對數(shù)據中心新興技術的部署產生影響。外賣訂單的增多和實體店零售購物的大幅下滑，大大推動了線上銷售的增長，也對數(shù)據中心帶來了顯著影響。以下是2021年數(shù)據中心的四大發(fā)展...
2021-01-08
康普 數(shù)據中心 關鍵趨勢
隨著寬禁帶半導體技術的廣泛應用，需要將二極管在高溫和苛刻的電流循環(huán)條件下，進行各種耐久性測試，來評估其性能。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件，將在未來幾年中持續(xù)發(fā)展。而新型碳化硅（SiC）半導體材料更是不負眾望，它比傳統(tǒng)硅材料導熱性更佳、開關速度更高，而且可以使器件尺寸做到更...
2021-01-07
Sic MOSFET 寬禁帶半導體技術 二極管
用于測距和檢測的光多用于這些關鍵應用，比如先進的駕駛員輔助系統(tǒng)（ADAS），光探測和測距（LiDAR）以及未來的自動駕駛汽車，以及移動式脈搏血氧儀。然而，檢測信號的可靠性在很大程度上取決于檢測電路的準確性和穩(wěn)定性。
2021-01-05
跨阻放大器
嵌入式USB2 (eUSB2) 規(guī)格是對USB 2.0規(guī)格的補充，前者通過支持USB 2.0接口在1V或1.2V而不是3.3V的I/O電壓下工作，解決了接口控制器與高級片上系統(tǒng) (SoC)工藝節(jié)點集成的相關問題。
2020-12-30
嵌入式USB2 eUSB2
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