提高電源轉換效率和功率密度一直是電源行業(yè)的首要目標，在過去十年中，更因功率器件、拓撲結構和控制方案的發(fā)展而取得長足的進步。超結MOSFET、SiC二極管以及最新GaN FET的發(fā)展，確保了更高頻率下的更高開關效率；同時，高級拓撲及其相應控制方案的實現(xiàn)也在高速發(fā)展。因此，平衡導通損耗與開關損耗...
2021-09-10
AC整流橋 有源開關 提高效率
盡管當今的車輛在多種駕駛場景中實現(xiàn)了自動化，但背后真正推動汽車從部分自動駕駛實現(xiàn)全自動駕駛的不是汽車制造商，而是移動服務提供商，例如出租車公司、汽車租賃公司、送貨服務公司以及需要提供安全、高效、方便且經濟實用的公共和私人交通工具的城市。
2021-09-09
汽車設計 ADC ADAS
某行車記錄儀，測試的時候要加一個外接適配器，在機器上電運行測試時發(fā)現(xiàn)超標，具體頻點是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其輻射超標產生的原因，并給出相應的對策。輻射測試數(shù)據(jù)如下：
晶振 PCB邊緣
許多運動控制應用都采用永磁直流電機。因為與交流電機相比，直流電機的控制系統(tǒng)更容易實現(xiàn)。因此，在需要控制速度、扭矩或位置時，通常都采用直流電機。
無刷直流電機 有刷直流電機
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
仿真 SiC單管 開關特性
自動駕駛汽車人工智能的發(fā)展正逐漸改變人們的駕乘體驗。全自動駕駛車輛將為汽車駕駛艙帶來徹底的變革。實際上，我們已經看到具備半自動駕駛功能的汽車的出現(xiàn)。功能性和舒適性是推動汽車內部變化的主要因素?？紤]到車輛內的功能越來越多，對于聯(lián)系駕駛員和駕駛艙新環(huán)境之間的用戶界面，設計師和工程...
汽車開關 應用
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節(jié)能創(chuàng)新的半導體解決方案知名供應商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個全新內容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機控制資源、產品和技術見解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護設備領域處于...
2021-09-07
貿澤 安森美 BLDC電機控制
比較SiC開關的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
SiC FET 導通電阻 溫度變化
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對高效率電源的需求越來越多。而提升電源轉換效率的關鍵因素就在于開關電源中的功率部分。
負壓脈 5G通信 電源效率
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